SJ_T 11773-2021CN 半导体集成电路冲压型引线框架.docx

ICS 31.030 L90 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 SJ/T 11773—2021 半导体集成电路 冲压型引线框架 Semiconductor integrated circuit—stamping type lead frame 2021-03-05发布 2 0 2 1 - 0 6 - 0 1 实 施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 I SJ/T 11773—2021 前 言 本标准按照 GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 请注意本标准的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由工业和信息化部提出。 由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC 203) 归口。 本标准起草单位：铜陵丰山三佳微电子有限公司、合肥丰山半导体科技有限公司。 本标准主要起草人：王友明、向华、张朝红、孙家兴、马春晖。 1 SJ/T 11773—2021 半导体集成电路 冲压型引线框架 1 范围 本标准规定了半导体集成电路冲压型引线框架术语和定义、技术要求、检测及验收规定、标志、储 存等。 本标准适用于半导体集成电路冲压型引线框架。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注由则的才用文件仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件其必威体育精装版版本(包括所有的修改单，适用于本文件。 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQr) 检索的逐批检验抽样计划 GB/T 7092 半导体集成电路外形尺寸 GB/T 14112 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范 GB/T 14113 米导体集成电 3 术语和定义 GB/T 1们 定的术语与定火适用于本 4 技术要求 4.1 毛刺 在引线核实 位，道毛刚不大于a0m, 水平毛刺不大于0.05m 4.2 凹坑和压痕 凹坑和压痕的要求加下； a) 在功能区和外引线的压痕，深度应不大于0.013mm, 压痕长度应不大于0.13 mm; b) 功能区和外引线以处的区域压痕深度应不大于0.05mm, 长度应不大子0 . 13mm。 4.3 镀层 镀层表面应致密，色泽均句呈镀层本色，不允许有肉眼可见的起皮、起泡、发花、斑点、沾污、异 物等缺陷。应无镀层漏镀并符合相关要求。 4.4 外形尺寸 引线框架外形尺寸应符合GB/T 7092有关规定及引线框架设计文件的要求。 4.5 厚度公差 引线框架常用材料厚度公差见表1。 SJ/T 11773—2021 2 表1 引线框架厚度公差表 单位为毫米 材料厚度T 极限偏差值 T≤0.381 ±0.0076 0.381T≤0.5 ±0.0100 0.5T≤1.0 ±0.150 1.0T≤2.0 ±0.020 2.0T ±0.030 4.6 侧弯 引线框架侧弯每152mm 应不大于0.051mm。 4.7 横弯 引线框架横弯不大于引线框架宽度的0.5%。 4.8 精压区 精压区的要求如下： a) 引线精压区的宽度不小于对应精压部位的80%; b) 引线精压后的深度不大于材料厚度的30%,引线框架精压深度为(0.013～0.05) mm; c) 设计文件上标明的尺寸为精压前尺寸； d) 每边最大精压凸起应不大于0.051mm, 如有特殊要求，应按供需双方协议实施。 4.9 扭曲 引线框架在长度上扭曲应不大于0.51mm。 4.10 卷曲 引线框架卷曲每152mm 应不大于0.51mm。 4.11 引线框架芯片粘结区打凹深度公差 从芯片粘结区中心到连筋上的一点测量时，应符合极限偏差±0.10mm 范围内。 4.12 芯片粘结区的角度偏差和平面度 4.12.1 角度偏差 在未打凹的情况下，每2.54mm 长度最大倾斜0.025mm, 在打凹的情况下，每2.54mm 长度最大 倾斜0.051 mm。 4.12.2 平面度 从中心到四个角的中点进行测量时，每2.54mm 芯片粘结区长度内不大于0.005mm。 拐角处被规 定为距每边0.127mm 处。 4.13 定位孔位置偏差 引线框架定位孔中心到边缘的对称性为标称尺寸±0.051mm 范围内，如图1。 3 SJ/T 11773—2021 芯片粘结区 芯片粘结区 A 引线连筋 B 图1 4.14 内引线端部精压区共面性 内 引 线 排 区 共 可 应 不 大 于 0 . 1 。 4.15 内引线端都精压区与引线连筋区的平面性 内引生治精玉区与引线连筋区的平面性应不表于土0.102mm。 4.16 内引线端部