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本申请涉及存储器领域,具体涉及一种闪存扰码验证方法。包括:确定地址变换模拟算法;对闪存的存储区进行全面擦除操作,将存储区中各个存储单元变为第一电荷状态;确定至少一个目标电学地址;使得闪存的存储区,根据目标电学地址,对相应的目标存储单元进行编程操作,使得目标存储单元由第一电荷状态变为第二电荷状态;使得存储区各存储单元的漏端接触孔裸露;获取漏端接触孔裸露的存储区的电压衬度图像;根据电压衬度图像衬度点的阵列分布,和各个衬度点的衬度,确定与目标存储单元实际物理地址;通过地址变换模拟算法,计算目标电学地址
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542207 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202011536570.4 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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