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本发明公开了一种全彩半导体发光微显示器的结构及其制造工艺,全彩半导体发光微显示器包含硅基底、呈阵列排布的微发光二极管和带有滤色层的透明基板,微发光二极管至少包含第一电极、多层非有机化合物和第二电极;滤色层制作于透明基板表面,透明基板贴合至硅基底上;微发光二极管由驱动电路提供的电流所驱动,且发射第一光线;滤色层包含若干滤色点,滤色点在垂直方向上覆盖微发光二极管,且将微发光二极管发射的第一光线转变为第二光线。全彩半导体发光微显示器的制造工艺包含了在硅基底上制作驱动电路,在制有驱动电路的硅基底上制作微
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112510060 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202011375408.9 H01L 33/58 (2010.01)
(22)申请日 2
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