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本发明公开了一种半导体晶圆过剩载流子寿命空间分布的快速定量成像表征方法，运用光强正弦调制的、光子能量大于半导体禁带宽度的激光经准直、扩束后激励硅晶圆，在其中产生过剩载流子且浓度随时间呈同频正弦变化；过剩载流子通过辐射复合所发出的同频正弦荧光信号动态图像由放置在晶圆背面的CCD采样拍摄并经由抓帧器传入计算机；以激光调制信号为参考信号，对CCD所有像素点在不同帧的离散时域数据作数字锁相运算，可以将相位图像从噪声中提取出来；通过分析相位图像可以得到该晶圆过剩载流子寿命的定量空间分布。本方法可以为半导体
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112432936 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202011227320.2 (22)申请日 2020.11.06 (71)申请人 电子科技大学 地址
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