具有冷源极的金属氧化物半导体场效应晶体管.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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具有冷源极的金属氧化物半导体场效应晶体管.pdf

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提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。所述器件包括：衬底；在所述衬底上的氧化物层；在所述氧化物层上的栅极；在所述衬底上的源极和漏极，其中所述源极和所述漏极掺杂有第一类型的掺杂剂；以及耦合到所述源极的冷源极，其中所述冷源极包括结，所述结在掺杂有第二类型的掺杂剂的半导体与从由金属和半金属组成的群组中选择的材料之间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112424917 B (45)授权公告日 2022.08.19 (21)申请号 201980037287.6 专利权人皇家学习促进会/麦吉尔大学 (22)申请日 2019.