分段式复合场板的终端结构.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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分段式复合场板的终端结构.pdf

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本发明提出一种分段式复合场板的终端结构，隶属于功率半导体器件技术领域。本发明包括环注入区、多晶硅、短场板、接触孔、以及截止环金属；环注入区位于栅极引线外侧，多晶硅位于环注入区外侧；环注入区和多晶硅重复排布多组；截止环金属在最后一个多晶硅外侧，是芯片最外面一圈结构；短场板在环注入区和多晶硅上面，通过接触孔实现和环注入区的连接；短场板在多晶硅的上面阵列式排列形成多晶硅和短场板的阵列区。该结构解决了在实现金属场板和场限环的连接时会遇到场限环间距太近、接触孔和金属边缘距离不够、导致金属间距不能满足金属湿

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112271211 A (43)申请公布日 2021.01.26 (21)申请号 202011201439.2 (22)申请日 2020.11.02 (71)申请人龙腾半导体股份有限公司