沟槽栅功率器件及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约8.22千字
约 11页
2023-05-25 发布于四川
举报
版权申诉

沟槽栅功率器件及其制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请实施例公开了一种沟槽栅功率器件的制备方法及沟槽栅功率器件，其中所述制备方法包括：提供一衬底，刻蚀衬底以在衬底中形成沟槽；在沟槽的内表面上形成一场氧化层，并进一步在沟槽中形成屏蔽栅以及用于形成沟槽栅的栅极凹槽；在屏蔽栅上形成隔离介质层，并对隔离介质层回刻蚀，以保留屏蔽栅上的隔离介质层；在栅极凹槽中填充多晶硅并回刻蚀，以形成沟槽栅；去除沟槽栅所暴露出的隔离介质层；生长一层栅氧化层，在栅极凹槽的衬底侧壁形成栅氧化层，同时在暴露的屏蔽栅上形成栅间介质层。这样能解决现有技术中存在的屏蔽栅残留FOX表

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233983 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011164364.5 (22)申请日 2020.10.27 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司