一种高电流密度的IGBT芯片制作方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种高电流密度的IGBT芯片制作方法.pdf

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本发明提供了一种高电流密度的IGBT芯片制作方法，该方法以单晶硅晶圆作为衬底，采用光刻胶进行图形定义并去胶，利用氢氧化钾或者四甲基氢氧化铵溶液腐蚀N型单晶硅衬底至预设深度形成栅极沟槽，避免了传统的干法刻蚀工艺中的离子轰击带来的沟道表面损伤，形成的沟道表面比较光滑，使得IGBT芯片的沟道具有更少的表面缺陷和更高的载流子迁移率，提升了IGBT芯片的电流密度。同时，采用KOH或者TMAH湿法腐蚀工艺形成栅极沟槽，可以省略后续栅氧工艺之前的牺牲氧化层步骤，降低了芯片的制造周期和工艺成本。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883185 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210764174.X (22)申请日 2022.07.01 (71)申请人深圳芯能半导体技术有限公司地址