大尺寸红外光学元件低应力保护增透薄膜的制备方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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大尺寸红外光学元件低应力保护增透薄膜的制备方法.pdf

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本发明公开了一种大尺寸红外光学元件低应力保护增透膜系的制备方法，包括以下步骤：1)大尺寸红外光学元件无损清洗；2)采用离子辅助电子束蒸发工艺在清洗后的大尺寸红外光学元件表面依次镀制光学过渡层及应力匹配层，形成张应力层，张应力层厚度不低于400nm，应力值不低于200MPa；3)通过RF‑PECVD法在步骤2)所得张应力层上制备类金刚石薄膜作为压应力层，厚度不高于700nm，压应力不高于350MPa，即得大尺寸红外光学元件低应力薄膜。所得薄膜应力低，满足大尺寸红外光学元件低应力保护增透膜系的工艺需

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114774847 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210417379.0 C23C 14/30 (2006.01)