一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法.pdf

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本发明公开了一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法，通过阵列内基本的读逻辑和写逻辑设计TRS逻辑和RD逻辑；针对自旋轨道力矩磁存储器的单极性翻转特性，基于读逻辑、写逻辑、TRS逻辑和RD逻辑，设计存内运算逻辑，包括：两输入与，两输入或，三输入择多和1位全加逻辑。本发明最大程度解决自旋轨道力矩磁存储器状态翻转后需要较长时间恢复的问题以及将输出结果覆盖输入数据来避免数据写回操作。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114708893 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210322727.6 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人南京航空航天大学地址 21110