三维存储装置及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-28 发布于北京
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三维存储装置及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种三维存储装置及其制作方法。其中，所述三维存储装置包括：在衬底上形成第一堆叠结构；所述第一堆叠结构至少包括层叠设置的牺牲半导体层和阻挡层；在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构；所述第二堆叠结构包括若干间隔设置的第一介质层和第二介质层；对所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构进行刻蚀，形成至少贯穿所述第二堆叠结构，且未贯穿所述第一堆叠结构的虚设沟道孔；其中，在进行所述刻蚀的过程中，刻蚀源对所述阻挡层的刻蚀速率低于对所述第一堆叠结构的刻蚀速率；在所述虚设沟道孔中填充绝缘材料；去除所述衬底及

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188327 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202111320108.5 (22)申请日 2021.11.09 (71)申请人长江存储科技有限责任公司