具有多浮岛结构的半导体器件.pdfVIP

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2023-02-14 发布于四川
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具有多浮岛结构的半导体器件.pdf

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本实用新型提供了一种具有多浮岛结构的半导体器件，包括N型衬底、N型外延层、源极、第一栅极和第二栅极，其中，N型外延层生长在N型衬底上，包括：第一沟槽和第二沟槽；多个浮岛，其中，一部分浮岛沿第一沟槽的垂直方向依次设置在第一沟槽的下方，并且处于最上方的浮岛覆盖在第一沟槽的底部，另一部分浮岛沿第二沟槽的垂直方向依次设置在第二沟槽的下方，并且处于最上方的浮岛覆盖在第二沟槽的底部；设置在第一沟槽和第二沟槽之间的P层和N+源层，其中，N+源层设置在P层的上方，并且，N+源层和P层均与源极相连，第一栅极设置在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212517211 U (45)授权公告日 2021.02.09 (21)申请号 202021526876.7 (22)申请日 2020.07.28 (73)专利权人江苏宏微科技股份有限公司