详解Flash存储器闪存工作原理及具体步骤.pdfVIP

下载本文档

19
0
约小于1千字
约 1页
2021-08-27 发布于湖北
举报
版权申诉

详解Flash存储器闪存工作原理及具体步骤.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

详解 Flash 存储器闪存工作原理及具体步骤什么是闪存 ? 了解闪存最好的方式就是从它的出生它的组成均研究的透彻底底的。闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。 NAND 型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电 (写数据 )或放电 (擦除数据 )。而 NOR 型闪存擦除数据仍是基于隧道效应 ( 电流从浮置栅极到硅基层 ) ，但在写入数据时则是采用热电子注入方式 ( 电流从浮置栅极到源极 ) 。场效应管工作原理场效应晶体管 (Field Effect Transistor 缩写 (FET)) 简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子 ,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电 ,因此称为双极型晶体管 ,而 FET 仅是由多数载流子参与导电 ,它与双极型相反 ,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高 (108 ～109Omega;) 、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。闪存采用 MOSFET 来存放数据 MOSFET 结构如下图