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第一章 半导体二极管;1.1 半导体的基本知识; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。
外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。;自由电子 带负电荷 电子流;二. 杂质半导体;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;杂质半导体的示意图;小结：;内电场E;少子飘移;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ;
PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；
PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。
由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式; 1.2 半导体二极管;半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管;半导体二极管的型号; 1.2.2二极管的伏安特性;二、温度对二极管伏安特性的影响;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;二. 二极管的模型及近似分析计算;;二极管的近似分析计算;例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。
(1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降
?0.7V(硅二极管)
理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 ;二极管基本应用;三. 二极管的主要参数;模电第一章二极管;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;例：稳压二极管的应用;;例2：稳压二极管的应用
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