模拟电子半导体基础知识三极管.pptVIP

第1章 常用半导体器件; 1.3 晶体三极管;一.BJT的结构及类型;分 类;;二． 晶体管的电流放大作用;1．BJT内部的载流子传输过程; 另外，集电区与基区的少子也参与漂移运动，形成电流ICBO。;2．晶体管的电流分配关系;3．晶体管的共射电流放大系数;3．晶体管的共射电流放大系数;共基直流电流放大系数 ;（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。; (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ;饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。;四. BJT的主要参数;四. BJT的主要参数; 3. 极限参数; （3）极间反向击穿电压;三极管的选用原则; 半导体三极管的型号;模拟电子半导体基础知识三极管;五、温度对晶体管特性及参数的影响;2、温度对输入特性的影响 与二极管伏安特性相类似，当温度升高时，正向特性将左移，反之将右移，如图所示。; 3、温度对输出特性的影响 下 图为一只晶体管在温度变化时输出特性变化的示意图。;例1、 由电极电位判定三极管的状态 在放大电路中，测得下述6组三极管3个极的电位： 1．NPN管： （1） 1V 0.3V 3V （2） 0.3V 0.3V 1V （3） 2V 5V 1V 2． PNP管：（1） -0.2V 0V 0V （2） -3V -02V 0V （3） 1V 1.2V -2V 试确定三极管处何种状态，并判定各电位对应三极管的哪个电极。;多数NPN管用Si材料制成，PN结的导通压降一般设为0.7V；而多数的PNP管用Ge材料制成，PN结导通压降一般为0.2V左右。 根据电位确定三极管的状态和电极时一般应先设法确定三极管的基极B和发射极E，再确定集电极C。按此思路对给定的6组数据分析如下。 ;（2） 0.3V 0.3V 1V 可考虑各电极对应的电位如下：基极B为1V，射极E为0.3V，集电极C为0.3V。发射结正偏，集电结也正偏，故三极管T处在饱和状态。;2．PNP管 （ l） - 0 .2V 0V 0V 电极和电位对应关系是：B极为-0.2V，E极为0V，C极为0V。发射结正偏，偏置电压UBE=-0.2V，集??结也正偏，故三极管T处在饱和状态。 ;三极管的选用原则; 例2、在一个单管放大电路中，电源电压为 30 V，已知三只管子的参数如下表所示，请选用一只管子，并简述理由。