砷化镓单晶编制说明.pdfVIP

国家标准《砷化镓单晶》 编制说明（送审前征求意见稿） 一、工作简况 1. 立项目的和意义 砷化镓（ GaAs）单晶材料是目前生产量最大、应用最广泛，同时也是最重要的化合物 半导体材料之一，是仅次于硅的第二代半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使其 在微波器件和发光器件等方面具有很大的发展空间，具有广阔的市场前景。砷化镓单晶作 为一种新型的电子信息材料，技术水平的发展十分迅速。近年来，砷化镓单晶的技术水平 较 10 年前有了很大的提高，用途也得到了拓展，主要体现在以下几个方面： 1、砷化镓单晶的直径、重量不断增大，生长及加工工艺日趋成熟。 2、100mm （4 英寸）、150mm （6 英寸）砷化镓单晶均已批量生长，砷化镓晶片也已经 规模化生产和应用。 3、在材料性能上，目前的砷化镓单晶与以往相比，国内外客户要求位错密度更低，材 料的电学性能更加优化。 目前国内砷化镓单晶生长，以及开盒即用砷化镓单晶片的产业链已经打通，砷化镓单 晶的质量水平影响下游的产业链，原有的标准 GB/T 20228-2006 所规定的的直径、电阻率、 位错密度等指标已远远满足不了客户的市场需求，鉴于砷化镓单晶近几年的迅速发展，需 要对 GB/T 20228-2006 《砷化镓单晶》标准进行修订，以引导砷化镓行业发展，满足市场需 求和促进技术进步。 2. 任务来源 根据《国家标准委关于下达 2018 年第三批国家标准制修订计划的通知》 （国标委综合 [2018]60 号）的要求，由云南中科鑫圆晶体材料有限公司等单位负责修订《砷化镓单晶》， 计划编号 T-469，项目周期 24 个月，要求完成时间 2020 年 9 月。 3. 标准主编单位简况 云南中科鑫圆晶体材料有限公司是一家专业从事高效率太阳能电池用锗单晶、砷化镓 单晶等半导体晶体材料产品研发、生产、销售的高科技企业。为充分发挥中国科学院半导 体所在半导体晶体材料研究开发领域的优势及云南临沧鑫圆锗业股份有限公司的资源优势 和产业化生产经验优势， 满足国内外太阳能、 LED 产业的高速发展， 于 2008 年 6 月在昆明 高新区共同设立“云南中科鑫圆晶体材料有限公司” （以下简称“中科鑫圆”）。 中科鑫圆公司研究掌握了 VGF 单晶炉设计、 制造及单晶生长热场设计、 单晶生长工艺 和开盒即用晶片加工工艺等核心产业化生产技术。生产的锗单晶片被国内外客户广泛应用 于航空航天太阳能电池和地面聚光光伏电站等高科技领域，填补了国内空白，达到国际先 进水平。中科鑫圆公司先后承担了昆明市重大科技项目、云南省重点科技项目和国家科技 支撑计划等多项重大科技项目，主持起草了《太阳能电池用锗单晶》 、《区熔锗锭》等多项 国家标准。 4. 主要工作过程 项目立项之后，成立了以云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有 限公司为主的编制组单位，经调研国内生产企业的生产现状及技术发展趋势，考虑用户的 当前使用要求及以后技术发展的潜在使用要求，于 2018 年 10 月形成了讨论稿。 2018 年 11 月 14 日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会组织， 在福建省福 州市召开《砷化镓单晶》标准第一次工作会议（讨论会） ，与会专家对标准的修订提出了宝 贵的意见。编制组根据专家意见对标准稿件修改后，于 2019 年 6 月形成了征求意见稿（预 审稿）。 2019 年 11 月 20 日，在广东省东莞市由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 分技术委员会组织召开《砷化镓单晶》标准第二次标准工作会议（预审会） ，来自北京大学 东莞光电研究院、中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达半导体股份有限 公司等 13 家单位的 20 余名专家参加了本次会议。会上