《MOCVD设备结构及维护》.pptVIP

MOCVD设备结构 ;目录 一.MOCVD简介 二.反应腔介绍 三.TS 机台的气体运输系统 四.TS机台运行检查及维护保养; MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 Metal-organic?Chemical?Vapor?Deposition  金属有机化合物化学气相沉淀原理　　MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。;系统组成 因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。 一般系统组成： 加热系统，冷却系统，气体运输系统及尾气处理系统，控制系统。;二.反应腔介绍 由于反应腔对外延生长非常重要，所以目前市面上主要的反应腔设计为以下四种： 1.近耦合喷淋设计（AIXTRON TS系列） ;2.三层式气体喷嘴设计（AIXTRON G系列）;3.旋转式反应腔（Veeco）;4.双气流反应腔（日亚）; 因为我们公司主要生产机台为AIXTRON TS机台和G5机台，所以针对TS和G5由我和王明军作一个简单的反应腔介绍。 TS 近耦合喷淋反应腔; Upper plenum: Feeds the group III elements using metal organics Lower plenum: Feeds the group V elements using hydride gases such as NH3 or AsH3 A Showerhead Cap B Showerhead Body C Upper plenum D Lower plenum E Water cooling;Tungsten heater;Temperature control unit;三.TS机台气体运输系统 ;Gas symbols diagram;S2位4通换向阀;N2 purifier;Reactor purges;Hydride source;SiH4;MO source;dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiudsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiu dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8gen;56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm