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绝缘栅双极型晶体管 基本结构 基本工作原理 动态特性与参数 静态特性与参数 安全工作区 栅极驱动电路 保护措施 绝缘栅双极型晶体管: IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor） 主要学习内容 一、基本结构与工作原理 1.IGBT的基本结构 2.IGBT的等效电路 3.IGBT的基本工作原理 IGBT的开通与关断由UGE决定 UGE UGE（th） IGBT开通 UGE UGE（th） IGBT关断 二、静态特性与参数 1 .转移特性 2.输出特性 三、动态特性与参数 1.开关过程 开通过程： 是指IGBT从正向阻断到正向导通的过程，时间记为TON。以 U GE前沿上升到其最大值（UGEM）的0.1倍起始到集电极电流IC上升到其最大值（ICM）的0.9倍为止。 IGBT的开通时间一般划为两个时间段，即开通延迟时间td和电流上升时间tr。 开关过程包括开通和关断两个过程 IGBT从正向导通到正向阻断，时间记为TOff，以 U GE 后沿下降到UGEM的0.9倍起始到集电极电流IC下降到 ICM 的0.1倍为止。 IGBT 的关断时间一般也划为两个时间段， 即关断延迟时间td和电流下降时间tf IGBT的开关时间 （ton+toff ） 与器件的耐压值、集电极电流IC和栅极电阻RG有较大关系 ，较MOSFET的开关时间大一些。在实际应用中，希望ton+toff越小越好。 关断过程： 四、擎住效应与安全工作区 1.擎住效应 2.安全工作区 五、栅极驱动电路 1.栅极正偏压+UGE的影响 2.栅极负偏压﹣UGE的影响 3.栅极电阻RG的影响 4.栅极驱动电路实例
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