SI总线介绍.pptVIP

数据在SCLK的上升沿入，下降沿串行出； 单字节操作：每次对DS1302的写入或读出都由命令字节引导，每次只传送1字节数据。 单字节写操作：单片机通过8个sclk下降沿传送写命令字节后，在接下来的8个sclk时钟的下降沿传送一字节数据。如果有更多的sclk周期，DS1302将会忽略。 单字节读操作：单字节读操作每次需16个时钟，地址字节在前8个时钟周期的上升沿输入，而数据字节在后8个时钟周期的下降沿输出。.DS1302输出的第一位数据是在命令字节最后一位的第一个下降沿处，如果有更多的sclk周期，DS1302将重新发送数据字节。 * THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 多字节操作 多字节操作：每次对DS1302的写入或读出都由命令字节引导，然后对时钟寄存器的7个寄存器或31个RAM依次按顺序写入/读出。 多字节写操作：单片机通过8个sclk下降沿传送命令字节后，在接下来的8个sclk时钟的下降沿传送一字节数据,以次类推。 多字节读操作：：单片机通过8个sclk下降沿传送命令字节后，在紧接着的的8个sclk时钟的下降沿DS1302传送一字节数据,以次类推。 * 特殊寄存器 在DS1302的时钟日历或RAM进行数据传送时，DS1302必须首先发送命令字节。若进行单字节传送，8位命令字节传送结束之后，在下8个SCLK周期的下降沿输出数据字节。 DS1302与RAM相关的寄存器分为两类:一类是单个RAM单元，共31个，每个单元组态为一个8位的字节，其命令控制字为C0H～FDH，其中奇数为读操作，偶数为写操作；再一类为突发方式下的RAM寄存器，在此方式下可一次性读、写所有的RAM的31个字节。命令字为BEH和BFH 写保护寄存器： 写保护寄存器 命令字 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 8EH或8FH WP 0 0 0 ,0 0 0 0 * RAM单元 命令字 D7 RAM/CK D5 D4 D3 D2 D1 R/W 0单元 C0H或C1H 1 100,000R/W 1单元 C2H或C3H 1 100,001R/W 2单元 C4H或C5H 1 100,010R/W 3 4 ........ 31单元 C6H或C7H. C8H或C9H. .............. FCH或FDH .1 100,011R/W 1 100,100R/W ........ 11 11,110R/W * 程序举例：初始化日历寄存器 片内RAM 说明 68H(秒) 0101，0010 52 67H(分) 0011，0100 34 66H（时） 19 65H（日） 01 64H（星期） 周三 63H（月） 10 62H（年） 11 61H（写保护寄存器） 00h * 单片机写一字节到DS1302：上升沿入，下降沿出 WBYTE:(单片机将A中数据发送给DS1302) MOV R1,#08H SETB SCLK NOP LOOP1: CLR SCLK RRC A;低位在前 MOV I/O,C；先把数据准备好，再上升沿 SETB SCLK；上升沿入到DS1302 DJNE R1,LOOP1 RET * DS1302的寄存器 * 多字节写模式 MOV 68H,#52H;把数据事先存到68H~61H MOV 67H,#34H MOV 66H,#19H MOV 65H,#01H MOV 64H,#03H MOV 63H,#10H MOV 62H,#11H MOV 61H,#00H WRCR: CLR SCLK SETB /RST MOV A, #8EH;写保护寄存器的命令字 LCALL WBYTE MOV A, #00H;写保护寄存器的内容 LCALL WBYTE CLR /RST；中止传送 * 多字节写模式 CLR SCLK SETB /RST MOV A ,#BEH;多字节写命令 LCALL WBYTE MOV R0,#68H MO