第4章-双极结型三极管和放大电路基础20180314.pptVIP

（2）增益-带宽积 在放大电路中，通频带BW=fH-fL ，对大多数放大电路而言，都有fHfL ，即BW=fH-fL≈fH。要提高fH，须减小gmRL，以减小密勒效应。然而减小gmRL必然会使AVSM减小。所以fH的提高与AVSM的增大是相互矛盾的。 综合这两方面的性能，引出增益-带宽积，定义为中频增益与带宽的乘积。 在BJT及电路参数都选定后，增益-带宽积基本上是个常数 小结 一、在高频段，影响放大电路放大倍数的主要是BJT的结电容。 二、在低频段，影响放大电路放大倍数的主要是电路中的耦合电容，特别是发射极的旁路电容Ce 。 三、将中频电压增益与通频带相乘所得的乘积称为增益-带宽积。当电路参数及BJT都选定后，增益-带宽积基本上是一个常数。 四、共基级放大电路不存在密勒效应，因此其高频响应好。 3. 多级放大电路的频率响应 幅频特性 相频特性 (3-*) 多级放大电路的通频带一定比它的任何一级都窄，级数越多，则fL越高，fH越低。 (3-*) 两级放大电路波特图： 一级 两级 一级 两级 (3-*) 1.在中频区，总的电压增益提高了，具体为 2.总的通频带变窄了; 4. 与 的相移扩大了，为?=2 ?1; 5.在低、高频区，总相移特性斜率增大了，分别为+900/十倍频和-900/十倍频。 3.在低、高频区，总的幅频特性斜率增大了; 小结 * BJT的种类： 按频率分：高频管、低频管； 按功率分：小、中、大功率管； 按半导体材料分：硅、锗管； 结构不同分：NPN管、PNP管。 * BJT的种类： 按频率分：高频管、低频管； 按功率分：小、中、大功率管； 按半导体材料分：硅、锗管； 结构不同分：NPN管、PNP管。 (3-*) RB +VCC C1 C2 RE RL vi vo 例：已知射极输出器的参数如下：RB=570k?，RE=5.6k?，RL=5.6k?，?=100，VCC=12V 求Av 、 ri和ro 。 设：RS=1 k?， 求：Avs 、 ri和ro 。 3 . RL=1k?时，求Av 。 (3-*) RB +VCC C1 C2 RE RL vi vo RB=570k?，RE=5.6k?，RL=5.6k?，?=100，VCC=12V (3-*) RB=570k?，RE=5.6k?，RL=5.6k?，?=100，VCC=12V 1. 求Av 、 ri和ro 。 rbe=2.9 k?，RS=0 rbe RE RL RB 微变等效电路 (3-*) 2. 设：RS=1 k?， 求：Avs 、 ri和ro RB=570k?，RE=5.6k?，RL=5.6k?，?=100，VCC=12V rbe=2.9 k?，RS=0 rbe RE RL RB 微变等效电路 (3-*) RL=1k?时 3. RL=1k?和?时，求Av 。 比较：空载时, Au=0.995 RL=5.6k?时, Au=0.990 RL=1k?时, Au=0.967 RL=?时 可见：射极输出器 带负载能力强。 (3-*) 射极输出器的使用 1. 将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。 2. 将射极输出器放在电路的末级，可以降 低输出电阻，提高带负载能。 耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。 4.6 组合放大电路 耦合：即信号的传送。 多级放大电路对耦合电路要求： 1. 静态：保证各级Q点设置 2. 动态: 传送信号。 第一级 放大电路 输 入 输 出 第二级 放大电路 第 n 级 放大电路 … … 第 n-1 级 放大电路 功放级 要求：波形不失真，减少压降损失。 设: ?1=?2=50, rbe1 = 2.9k? , rbe2 = 1.7 k? 4.6.1、 共集-共射放大电路 前级 后级 +VCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 关键:考虑级间影响。 1. 静态: Q点同单级。 2. 动态性能: 方法: ri2 = RL1 ri2 +VCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 考虑级间影响 2 ri , ro : 概念同单级 1 ri ro ri2 +VCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2