异常电池片分析.pptxVIP

异常电池片分析;1.分析过程中所用到的设备： EL（ Electroluminescence电致发光 ）： ;WT2000：用来测试少子寿命、方块电阻与整面QE U-PCD：运用微波光电导衰退法（microwave photoconducivity delay）测试少子寿命 SHR（sheet resistance）：用来测试方块电阻 LBIC（light beam induced current）：可测试电池片的反射率、诱导电流并可计算出量子效率与扩散长度 Suns-Voc：主要用来测试结特性 OL-750：测试单点QE 扫描电镜（SEM）：主要用来测试绒面与印刷状况 PN型检测仪：测试扩散放反或未扩 ;多晶串联大 电性能如下： 从电性能上看主要是串联大，其次是Uoc与Isc偏小。导致这些的原因应是银硅合金形成不好，而这种现象主要是虚印、浆料污染或方块电阻不均匀部分地方偏大引起。 下面是EL图与方块电阻、少子寿命图 ;EL发黑处方块电阻与少子寿命都偏大。说明接触电阻偏大，电池复合不好。在接触电阻大的地方短波的量子效应要比其他正常地方的短波量子效应要小， 这可以排除方块电阻偏大的问题。 随后进行扫描电镜的测试，看是否是由于虚印引起的合金形成问题。;正常部位的SEM;多晶串联大实验： 扩散后方阻（四探针测试）： 电池片电性能如下： 选第一片进行以下测试： ; 方块电阻大的地方EL处发黑，同时接触电阻与少子寿命比其他地方较大。同时测试的内量子效应中短波响应也是偏大。 ;2.多晶漏电大 ;有针孔的绒面 ;3.多晶少子低 ;两片电池片被抛光后测试其体寿命如下: ; 从测试的体电阻的数据看，应该是PN结未去干净，后去测试PN性，两片中都有小部分地区没有去除干净（显示N型），这说明实际体寿命要比测试的还要小。 ;4 .多晶短路电流、开路电压低，漏电大 ;5.多晶未扩散 ;扩散放反与未扩散的电池片所显示的电性能与EL图像如下所示： 试验地点：3中心；类型：双面扩散 ;6. 多晶EL漏电集中 电性能如下： ;按照以前的经验在扩散之前戴乳胶手套插片出来的成品电池片会出现黄斑。 做成电池片后电性能如下： ;7.单晶串联大 用四探针测试其方块电阻（探针均未压到栅线）结果如下?? ; 中间部分测试的方阻较四周高出许多，与EL图相吻合。怀疑是方阻做大造成的。 随后测试其接触电阻与量子效应： 在接触电阻大的地方短波效应较其他地方较好。应该是方块电阻做大引起的串联大。