半导体二极管 .pptVIP

1.3 半导体二极管 1.3.1 结构类型和符号 1.3.2 伏安特性 1.3.3 主要参数 1.3.4 典型应用 1.3.5 型号命名规则 1.3.6 特殊二极管 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 1.3.1 结构类型和符号 　　二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— (a)点接触型 一、结构类型 (c)平面型 (3) 平面型— (2) 面接触型— (b)面接触型 二、符号 旧符号 新符号 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 标记 D1 D2 Diode 1.3.2 伏安特性 IS :反向饱和电流 VT =kT/q :温度的电压当量 室温（T=300 K）下， VT=26 mV 一、二极管方程（定量） 理想二极管(PN结）方程： 图 01.12 理想二极管的伏安特性曲线 ？定性 ——单向导电性 两点区别： 二、实际二极管的伏安特性 1)正向特性(V0)存在死区电压 硅：Vth=0.5 V 锗：Vth=0.1 V 　　 2)反向特性(V0)存在击穿电压 理想D伏安特性： 实际二极管的伏安特性 1.3.3 主要参数 (1) IF——最大整流电流 (2) VBR——反向击穿电压 长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流 (3) IR（IS）—— 反向饱和电流 硅 (nA)级；锗 (?A)级 (4) rd ——动态电阻 　 rd =?VF /?IF 二极管正向特性曲线斜率的倒数 1.3.4 型号命名规则 详见附录一 1.3.5 典型应用与分析方法 　　二极管经常应用于以下场合： （1）整流。 （2）限幅。 （3）逻辑（二极管逻辑）。 　　分析方法？ 　　二极管是一种非线性器件，需应用线性化模型分析法对其应用电路进行分析。 1.3.6 特殊二极管 一、稳压二极管 应用在反向击穿区 （雪崩击穿和齐纳击穿）　 （一）符号、伏安特性 和典型应用电路 (a) (a)符号 (b) (b) 伏安特性 (c)应用电路 （二）主要参数 (1) VZ —— 稳定电压 (2) IZ ——稳定工作电流 IZmin ~IZmax (3)PZM ——最大耗散功率 取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM = VZ IZmax 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用： 限流保护 误差调节 注意： 发射相干单色光的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。 符号见图B 图B 将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。 符号见图B 四、激光二极管 三、发电二极管　　　 二、光电二极管 （LED） 将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量，或做光电池。 符号见图A 图A 触敏屏 第四节 其伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 电阻的作用一是起限流保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 二极管模型 举例 国外的命名不同