激光诱导化学在微电子学中的应用.PDF

表 III 激光感应化学蚀刻的典型例子 参考文献 蚀刻刻产速率度/脉或冲蚀 分辨率 气 激 体 器 固 体 光 8i 8F 2Torr 00 ， 10.6μm脉冲，未聚焦 o.12m;n/脉冲 7 2 XeF 22 8i 2 00 ，脉冲， 1. 4 J/脉冲 0.06nm!脉冲 2 。1 100 Torr 10μm/目 5μm 25 8i Ar(连续波)， 4W聚焦 2 Ge Br Ar(连续波)，514 . 5nm，聚焦 0.001μm/s 27 GaAs OHsBr 750T= Ar(连续波)，257.2nm，聚焦 1 且m/s lμm 28 GaAs 0014 80 10π Ar(连续波)聚焦 1μm/s 10μm 28 8i02 012 Ar (连续波〉 0.3nm 50~80μm 9 MnZn 004 OF4 8I王4 Ar(连续波)聚焦 10μm/s 5γ100μ皿 26 • I 蚀刻速度所需的光子数来决定。在活性物质 表，但未搞清楚的问题也本少。尽管蚀刻速 的扩散距离内被固体表面吸收的光子将决定 度很高3 但大部份是微小面积的蚀刻p 成片处 最大的蚀刻速度。一般说来在对被蚀刻材料 理的生产能力还很低。这些可通过提高激光 不造成光学的和热的损伤的范围内光源的功 器的输出功率与扩大波长选择范围得到改 率大一些好。 善，并可通过搞清过去尚不明了的机制而有 为了避免被蚀刻材料的不必要加热，使 飞跃的改良。 用脉冲光源场合的脉宽和重复周期在考虑被 由于激光束感应蚀刻可不用掩模直接进 照射面温度的动态分布后决定。 行部份的蚀刻，困此有可能将之应用于产量 考虑到以上诸要素，迄今已经进行蚀刻