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* * * * * * * * * 2、绝缘栅场效应三极管 绝缘栅场效应三极管分为： 耗尽型 →N沟道、P沟道；增强型 →N沟道、P沟道 (1)N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 工作原理： 它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正 离子。所以当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了 沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当UGS0时， 将使ID进一步增加。UGS0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减 小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示。 (2)N沟道增强型绝缘栅场效应管 工作原理：结构与耗尽型类似。但当UGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压UGS时，形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在UGS=0V时ID=0，只有当UGSUGS(th) （开启电压) ，后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 一、分类及工作原理 (3)P沟道MOS管 P沟道MOS管的工作原理与N沟道MOS管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 附： D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极C; G(Gate)称为栅极，相当于的基极; S(Source)称为源极，相当于发射极。 符号见右表 一、分类及工作原理 在下图我们看到D极和S极之间存在着一个二极管，这个二极管叫寄生二极管（它是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管 ）。当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。(起到保护MOS管的作用) 二、寄生二极管 1、直流参数 （1）饱和漏极电流IDSS：当栅、源极之间的电压等于零（VGS=0），而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 （2）漏极短路时截止栅电流IGSS：当漏、源极之间的电压等于零（VDS=0），对应的栅极电流。 （3）夹断电压VGS(off)或VP：夹断电压是耗尽型FET的参数，当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的VGS。即当VGS=VGS(off) 时，漏极电流应为零。 （4）开启电压VGS(th) (或VT)：是MOS增强型管的参数，当VDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。即栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。 （5）漏源通态电阻RDS(on)：是器件单位面积开态时漏源之间的总电阻，是决定器件最大额定电流和功率损耗的重要参数。 ? 2、极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的VDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 三、主要参数 四、特点及主要作用 1、特点： 具有输入电阻高（108Ω～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 . 2、场效应管的作用 （1）场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 （2）场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 （3）场效应管可以用作可变电阻。 （4）场效应管可以方便地用作恒流源。 （5）场效应管可以用作电子开关。 五、场效应管的管脚检测 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法： 将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 对于有4个管脚