15.导模法带硅生长过程的数值模拟研究.乐成承.pdfVIP

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2018-10-11 发布于河北
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15.导模法带硅生长过程的数值模拟研究.乐成承

Xi’an Jiaotong UniversityXi’an Jiaotong UniversityXi’an Jiaotong University 2015 第十一届中国太阳能级硅及光伏发电研讨会导模法带硅生长过程的数值模拟研究乐成承，刘立军西安交通大学能源与动力工程学院西安交通大学刘立军教授研究组() 2015.11.28.杭州 Xi’an Jiaotong University 主要内容 1. 研究背景及目的 2. 计算模型 3. 结果及讨论 4. 结论 2 Xi’an Jiaotong University 1. 研究背景及目的  直接硅片技术  传统铸锭技术（直拉定向凝固）制备硅片均需切片加工工艺，造成大量原料损失。  直接硅片技术：省去切片过程。节省原料，节约时间，降低成本。 导模法带硅生长技术  直接从熔体中生长片状的带硅晶体材料  直接硅片中技术最成熟，有商业应用  快速、连续生产  电池效率低于传统晶硅电池 3 Xi’an Jiaotong University 1. 研究背景及目的  研究现状：  研究步骤：  产量（提拉（凝固）速率or带硅宽度）  快速生长过程中液桥稳定性计算硅熔体液桥中气液自由面形状  生长更薄的带硅 (Young-Laplace方程)  杂质、缺陷及热应力的控制  研究目的：建立模型，耦合求解通过数值模拟的手段模拟不同提流动传热问题拉速率下导模法带硅生长过程中液桥内部流动形态、温度分布。综合考虑固液界面形状及V/G来研究提拉速率的影响，以获得高改变晶体提拉速率质量晶体。进行对比分析 4 Xi’an Jiaotong University 主要内容 1. 研究背景及目的 2. 计算模型