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2018-09-20 发布于湖北
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微电子器件跟电路课后习题.pdf

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微电子器件跟电路课后习题

微电子器件与电路课后习题华侨大学电子工程系IC设计中心 2010 微电子器件与电路习题（1）微电子器件与电路习题（1）半导体器件基础部分习题所需的可能用到的物理参数如下：电子电荷 −19 q 1.6=×10 C 波尔兹曼常数 k 8.62=×10−5 e V / K 300K 时的热电压 V kT / q 0.026V T 本征载流子浓度 10 −3 n 10 cm i 介电常数 −12 ε 0.35=×10−12 F /cm ε 1.0=×10 F /cm si siO2 MOS 阈值电压V V =0.7V V =0.8V T T-NMOS T-PMOS 300K 下载流子迁移率作业提交时间：2010 年 04 月 14 日（周三）华侨大学电子工程系 IC 设计中心 / Mail To : hww@ 微电子器件与电路习题（1）半导体物理部分 10μm 2 18 −3 1.假设有 1 块长为横截面积为1×1μm 的硅材料，掺有10 cm 的砷。如同所示假设有 1V 的电压加载在材料上。 ①判断半导体类型，并求出多子和少子的浓度密度。 1V 1μ S 材料 i 10μ 1μ 图1 ②估算半导体材料的电阻大小。 ③定性分析在该半导体材料中掺入2 ×1018 cm−3 的硼时该材料的电阻将会发生如何变化，并简要作出解释。 PN 结部分 2.假设 pn 结的结构和电场分布如下图所