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2018-08-26 发布于湖北
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微电子器件跟工艺模拟实验讲义.pdf

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微电子器件跟工艺模拟实验讲义

微电子器件与工艺模拟实验讲义高云、杨维明、叶葱、汪宝元湖北大学物理学与电子技术学院 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建实验目录 Experiment 1. Thin Film Resistor: Creating an Thin Film Resistor Using ATHENA 2 Experiment 2. Zener Diode 10 Experiment 3. MS Junction: Creating a M-S Junctiong Using ATLAS 12 Experiment 4. NMOS Device：Creating a NMOS Device using ATHENA 15 Experiment 5. NMOS Device：NMOS Device simulation using ATLAS 30 Experiment 6. NMOS Devise: Creating a NMOS Devise using DEVEDIT 39 Experiment 7. MESFET Device 50 Experiment 8. BJT Device 66 Experiment 9. Solar Cell 79 Experiment 10. TFT 92 Appendix A: ATLAS 中常用STATEMENTS 及其部分参数 100 Appendix B: IC 制造工艺简述 107 1 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 Experiment 1. Thin Film Resistor: Creating an Thin Film Resistor Using ATHENA 基础知识 e.g.p 型Si 上制作一个n+ poly-Si 型电阻根据电阻公式: l l R r r S hw ( 1.1) 进一步, 1 l l R (r ) R0 h w w ( 1.2) 其中,R 称作方块电阻.也就是说,薄膜电阻为方块电阻乘以长宽比. 0 控制电阻材料的电阻率和材料厚度,可以得到适度的方块电阻,在平面工艺中,控制长宽比,就可以得到需要的电阻阻值. 目标结构图 1.1 完整的薄膜电阻结构结构参数衬底: 0.6um ×0.8um, Si, p 型, 浓度1×1014cm-3 氧化层: 厚度0.04um 2 PDF 文件使用