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如何設計返馳隔離電源
如何設計返馳式隔離電源 Design Assistant包含本文介紹之相關計算式,可讓設計過程更有效率。 如何設計FLYBACK隔離電源供應器圖1是使用FPS(Fairchild Power Switcher)返馳式隔離電源轉換器的基本線路圖,本文並會以此為參考線路來說明如何設計FLYBACK隔離電源供應器。因為運用整合MOSFET、PWM及其他周邊線路於單一封裝的FPS,比利用獨立之MOSFET及PWM控制器來設計電源供應器要簡單許多。在設計電源供應器會考慮變壓器之設計、輸出濾波電感、輸出與輸入電容的選擇及封閉迴路補償的計算。因此我們按照圖1之參考線路,依特定的步驟來設計我們所需之線路。最後附錄範例,則是利用此步驟而設計的輔助軟體來幫助我們完成整個線路計算。
▲圖1:基本的flyback隔離電源轉換器
設計步驟 本文將以目前的參考線路來說明設計的步驟。而幾乎所有FPS其第一腳至第四腳的功能定義是不變的。因此此參考線路適合大部份的FPS。 ■步驟1 決定系統規格:◎輸入電壓範圍(Vlinemin及Vlinemax)◎輸入交流電頻率◎最大輸出功率(Pout)◎預估的效率(ηeff):首先我們需要預估系統效率以計算最大輸入功率。當沒有資料供參考時,一般我們會在低電壓輸出應用時,效率設在η eff = 0.7~0.75。在高電壓輸出應用時則設η eff = 0.8~0.85。 以預設的效率可算出輸入功率為:
若在多組輸出的狀況下,每組輸出所佔之比例係數為:
其中Po(n)為第N組之最大輸出,若電源供應器只有單組輸出則KL(n) =1,考慮最大輸入功率以選用適當的元件(如最適當的FPS)。 ■步驟2決定輸入濾波電容容值(CDC)及其電壓VDC之範圍: 最大VDC之漣波電壓如下式:
其中Dch是CDC電容充電工作週期如圖2所示。一般約為0.2。對全範圍電壓輸入(85~265Vrms),應設定ΔVDCmax為√2Vlinemin的10~15%。
▲圖2:輸入濾波電容波形
由ΔVDCmax,可知最大及最小之VDC
■步驟3決定最大之工作週期比(Dmax):在連續電流模式(CCM),建議設定之Dmax小於0.5以避免次諧波振盪(sub-harmonic oscillation)。從(6)及(7)式表示輸出反射在一次側之電壓(VRO)與MOSFET的最大標稱電壓(nominal voltage)
得知施加在MOSFET的電壓會因Dmax減少而降低。但亦會增加施於二次側整流二級體之電壓。因此在有足夠的MOSFET耐壓條件下,可儘量設大Dmax之值,一般Dmax為0.45。 ■步驟4決定一次側之電感值: Flyback電源轉換有兩種工作模式:連續導通模式(continuous conduction mode,CCM)及不連續導通模式(discotinuous conduction mode,DCM)。工作模式的變換取決於負載電流與輸入電壓的變化。因此以最大輸出電流與最小輸入電壓為條件設計一次側之電感。
其中fs為切換頻率而KRF是漣波因素如圖3所示。在DCM工作模式時,KRF =1;在CCM工作模式時,KRF<1。對全範圍輸入電壓,合理之KRF=0.3~0.5。 而MOSFET的最大峰值電流及均方根電流如(9)及(10)式:
檢查MOSFET之最大峰值電流是否低於FPS脈衝電流限流。
▲ 圖3:MOSFET Drain電流與漣波因素(KRF)
■步驟5決定適當鐵心及一次側最小繞線圈數: 實際上,一開始時,因有許多變數而只能大略的選擇鐵心。若有製造廠商之選擇指南,可參照來選擇適當的鐵心,若無可參考之資料,則使用(13)之等式作為起點。
如圖4所示Aw為鐵心窗戶面積、Ae為鐵心截面積。(單位為mm2)ΔB為在正常工作下磁通密度的變化量(單位為Telsa),對大部分之功率鐵氧體磁鐵心(ferrite core)來說,值約0.3~0.35T。 根據所選之鐵心,避免變壓器飽合之一次側最小圈數如(14)式:
其中Imin為FPS之限流值,Bsat為飽和磁通密度。若無參考資料Bmax可設為0.35~0.4T。
▲圖4:窗戶面積與鐵心截面積
■步驟6決定每一輸出之圈數: 首先,決定一次側與用於迴授控制之輸出二次側電壓之圈數比。
而Np與Ns1各別為一次側與二次側作為參考輸出電壓之繞線圈數。Vo1為輸出電壓,VF1為位於二次側二級體之正向導通壓降。 因此決定Ns1之適當整數圈數值,將可能使Np大於(14)式得到之Npmin。有時Npmin會遠大於所求出之值。如此,需要改採較
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