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第八章 存储器概述与ROM
1.作函数运算表电路 【例1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路,x的取值范围为0~15的正整数。 Y7=m12+m13+m14+m15 【解】 (1)写出各函数的标准与或表达式: 按A、B、C、D顺序排列变量,将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 (2)选用16×4位ROM,画存储矩阵连线图: * 8.半导体存储器 8.1 只读存储器 8. 2 随机存取存储器 8.3 存储器容量的扩展 教学基本要求: 掌握半导体存储器字、位、存储容量等基本概念。 掌握RAM、ROM的典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 概 述 半导体存贮器是能存放大量二值信息的半导体器件。 存储器的主要性能指标 存取速度 存储容量 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器):在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失,常用于存放固定信息(如程序、常数等)。 固定ROM 可编程ROM OTPROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM):静态RAM DRAM (Dynamic RAM):动态RAM MROM Flash Memory 几个基本概念: 存储容量(M):存储二值信息的总量。 字数:字的总量。 字长(位数):表示一个信息多位二进制码称为一个字, 字的位数称为字长。 存储容量(M)=字数×位数 地址:每个字的编号。 字数=2n (n为存储器外部地址线的线数) 只读存储器,工作时内容只能读出,不能随时写入,所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM 按存贮单元中器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 一、 ROM的 定义与基本结构 OTPROM EPROM E2PROM MROM Flash Memory 存储矩阵 地址译码器 地址输入 1 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路 1)ROM(二极管PROM)结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M=4?4 地址译码器 字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1,无二极管相当存0 当OE=1时输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE=0时 字线 存储 矩阵 位线 字线与位线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0,无MOS管相当存1。 2 两维译码 该存储器的容量=? 3 可编程ROM (1) OTPROM (2) EPROM (3) EEPROM (4) FLASH-ROM 三. ROM的应用 【解】(1)分析要求、设定变量 自变量x的取值范围为0~15的正整数,对应的4位二进制正整数,用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系,可求出y的最大值是152=225,可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 (2)列真值表—函数运算表 (3)写标准与或表达式 Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12 Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y3=m3+m5+m11+m13 Y1=0 Y2=m2+m6+m10+m14 (4)画ROM存储矩阵结点连接图 为做图方便,我们将ROM矩阵中的二极管用节点表示。 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 2.实现任意组合逻辑函数 【例2】试用ROM实现下列函数:
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