inalngan hemt的直流特性及电流崩塌效应研究-study on dc characteristics and current collapse effect of inal ngan hemt.docx

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2018-05-29 发布于上海
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inalngan hemt的直流特性及电流崩塌效应研究-study on dc characteristics and current collapse effect of inal ngan hemt

conditions.Undertheseconditions,thechargeanddischargespeedofthesurfacestateandbarrierlayertrapscan’tcatchupwiththeinputsignal.Byutilizingthetwo-dimensionaldevicesimulationsoftwareAtlas,simulationsofInAlN/GaNHEMThavebeencarrieredoutfinally,andtheeffectsofstructuralparametersontheelectricalpropertieswereanalyzed.Moreover,byincorporatingtrapsintothesurfaceofInAlN/GaNHEMTs,thecurrentcollapseanditsrecoverprocessweresimulated.Thesimulationresultsverifiedthecorrectnessoftheconclusion.KEYWORDS:HEMTsurfacestatecurrentcollapseInAlNGaN目录目录........................................................................................................................1第一章绪论................................................................................................................11.1课题研究背景及意义......................................................................................11.1.1宽禁带材料简介....................................................................................12.1自发极化和压电极化......................................................................................82.1.1自发极化效应........................................................................................82.1.2压电极化................................................................................................92.2器件结构和工作原理....................................................................................102.2.1器件结构..............................................................................................102.2.22DEG产生机理112.2.3工作原理..............................................................................................122.3InAlN/GaNHEMT的特点152.4GaN异质结生长和器件制备17第三章InAlN/GaNHEMT电流崩塌测试及分析203.1电流崩塌的理论模型....................................................................................203.1.1逆压电极化效应模型..........................................................................203.1.2虚栅模型..............................................................................................213.2测试结果及分析..................................