(模拟电子技术知识基础)6.频率响应02.pptVIP

6.4.4 共射放大电路的高频响应 1. 高频等效电路 与共源放大电路类似也可求出密勒电容，得到等效电路 目标1：断开输入输出之间的连接，使信号单向传递 目标2：简化和变换 6.4.4 共射放大电路的高频响应 2. 高频响应和上限频率 其中 通带源电压增益 上限截止频率 类似地求得源电压增益响应 6.4.4 共射放大电路的高频响应 2. 高频响应和上限频率 与共源放大电路类似 BJT 一旦确定， 带宽增益积基本为常数 例题 解： 模型参数为 设共射放大电路在室温下运行，其参数为： 负载开路，Rb足够大忽略不计。试计算它的低频电压增益和上限频率。 低频电压增益为 又因为 所以上限频率为 6.5 共栅和共基、共漏和共集放大电路的高频响应 6.5.1 共栅和共基放大电路的高频响应 6.5.2 共漏和共集放大电路的高频响应 6 频率响应 6.1 放大电路的频率响应 6.2 单时间常数RC电路的频率响应 6.3 共源和共射放大电路的低频响应 6.4 共源和共射放大电路的高频响应 6.5 共栅和共基、共漏和共集放大电路的高频响应 6.6 扩展放大电路通频带的方法 6.7 多级放大电路的频率响应 *6.8 单级放大电路的瞬态响应 放大电路中的频率参数 在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 高通电路 低通电路 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。 下限频率 上限频率 结电容 6.4 共源和共射放大电路的高频响应 6.4.1 MOS管的高频小信号模型及单位增益频率fT 6.4.2 共源放大电路的高频响应 6.4.3 BJT的高频小信号模型及频率参数 6.4.4 共射放大电路的高频响应 6.4.1 MOS管的高频小信号模型及单位增益频率fT 1. MOS管的高频小信号模型 Cgs——栅-源电容 Cgd——栅-漏电容 Csb——源-衬底电容 Cdb——漏-衬底电容 多数情况下，MOS管的源极和衬底连在一起，此时Csb被短路，而Cdb变为Cds。 当信号频率处于高频区时，FET或BJT的极间电容的阻抗将减小，不能再视为开路，需考虑它们带来的影响。 其中Cgs的典型值为0.1~0.5pF，Cgd的典型值为0.01~0.04 pF及Cds通常小于1pF，rds为(104~106)? 。一般可从数据手册上获得这些参数。 Cgs——栅-源电容 Cgd——栅-漏电容 Cds——漏-源电容 衬底与源极并接时的高频小信号模型（也称为?模型） 6.4.1 MOS管的高频小信号模型及单位增益频率fT 1. MOS管的高频小信号模型 2. 单位增益频率fT fT与gm成正比，与MOS管结电容成反比。fT越大，MOS管的高频性能越好，由它构成的放大电路的上限频率就越高。早期以微米技术制造的MOS管的fT约为100MHz，现在以高速技术制造的MOS管的fT约为几个GHz。 由 得 6.4.1 MOS管的高频小信号模型及单位增益频率fT 6.4.2 共源放大电路的高频响应 1. 高频小信号等效电路 其中 6.4.2 共源放大电路的高频响应 1. 高频小信号等效电路 定性讨论 Cgs在输入回路构成低通电路 ? ? ? ? 输入回路 ? ? ? 和 ? 输出回路 输出回路也是低通电路 6.4.2 共源放大电路的高频响应 2. 电路简化 将Cgs左侧电路进行电源等效变换 其中 为简单起见，作如下假设： ， 得简化后的电路 6.4.2 共源放大电路的高频响应 3. 密勒电容 对节点 d 列KCL得 由于输出回路电流比较大，所以可以忽略的Cgd分流，得 而输入回路电流比较小，所以不能忽略的Cgd分流 称为密勒电容 ZM 相当于g和s之间存在一个电容，若用CM1表示，则 目标：断开输入输出之间的连接，使信号单向传递 6.4.2 共源放大电路的高频响应 3. 密勒电容 同理，在d、s之间也可以求得一个等效电容CM2，且 得等效后的电路 再设 且 6.4.2 共源放大电路的高频响应 3. 密勒电容 得最后简化电路 同理，在d、s之间也可以求得一个等效电容CM2，且 得等效后的电路 再设 且 目标：简化和变换 6.4.2 共源放大电路的高频响应 4. 高频响应和上限频率 输入回路是RC低通电路 由电路得 得 其中 上限截止频率 通带内源电压增益 6.4.2 共源放大电路的高频响应 4. 高频响应和上限频率 ?＝－180?－arctg(f/fH)