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电子热容量估算 对于金属,TTF,金属自由电子气是强简并的费米气体,所以,当 T0时,占有在费米面附近几个kBT的电子受热激发,而离费米面较远处的电子仍保持原来的状态(被“冷冻”下来)。因此,尽管金属中有大量的自由电子,但对电子热容量有贡献的只是在费米面附近厚度~kBT的一层电子,而这层电子仅占电子总数的很小一部分。在?E-EF?? kBT中的电子数为: N′ ? N(EF)f(EF)?E ? N(EF0)(2kBT)/2= N(EF0) kBT 及 于是, 而每个电子热运动的平均能量为 由于热激发,系统所获得的能量为 0 K时费密能级的能态密度 系统的自由电子总数 电子热容量为: 对于一摩尔金属,N=ZN0,Z是每个金属原子所贡献的自由电子数。 而常温下,CL? 3R,由于TTF,所以Ce CL ,即常温下可以不必考虑电子热容量的贡献。 一、问题的提出 在定量计算金属性质时,常会遇到以下形式的积分 和 这里,f(E)为F—D分布函数, ,这种积分不能用精确的解析表达式积出,因而给定量计算金属的性质带来困难。所幸的是,由于金属的费米能EF0 kBT,当T 0时,只有在费米面附近的一小部分电子被激发而跃迁到高能态,而比EF0低几个kBT的电子仍保持原来的状态,因此,上述的积分可以作适当的近似处理。 电子热容量求解 系统的自由电子总数 系统的总能量: 二、展开式的应用 1. EF的确定 求导 由此可以看出,当温度升高时,费密能级下降,EF比EF0小。对于金属而言,费密能量EF是几个到十几个电子伏特,相应的费密温度TF = EF/kB约在104~105 K,所以在一般温度T,kBT EF0的条件总是能够满足的。因此EF和EF0的数值是相近的。 (6-16)式P281 对于金属,由于TF T,所以EF ? EF0 。我们可以定性地分析为什么EF会略低于EF0 。当T 0时,由于TF T,所以电子的分布函数只在费米能附近几个kBT的范围内有变化,而离费米能较远处电子的分布于T = 0时相同。在有限温度下,EF0以下能态的占有几率减小,而EF0以上能态的占有几率增大,可以认为, EF0上下电子占有几率的增大和减小是关于EF0对称的。但是,由于电子的能态密度N(E)随E的增加而增大,即EF0以上的N(E)大于以下的N(E) ,因此,若EF0上、下电子能态占有率的增加、减少相同,则EF0以上要多填一些电子。因此,若保持EF = EF0 ,那么系统的电子数就要增加,但实际上系统的电子数是一定的,因此,EF必须略低于EF0 。 自由电子系统的总能量为 这里 为T = 0时自由电子系统的总能量 第二项为T 0时,由于热激发自由电子系统从外界所获得的能量。 电子热容量: 若每个金属原子贡献Z个自由电子,那么,一摩尔金属的电子热容量为: 其中 在常温下,金属中自由电子气的比热 与晶格比热 相比很小,晶格贡献是主要的,但是低温下,按照德拜理论, 与 成正比,金属的比热应为: 在极低温度下电子的贡献将成为主要的。 在量子理论中,大多数电子的能量远远低于费密能量EF0 ,由于受到泡利原理的限制不能参与热激发,只有在EF0附近约kBT范围内电子参与热激发,对金属的热容量有贡献。许多金属的基本性质取决于能量在EF附近的电子,电子的热容量 与N(EF0 )成正比,由电子的热容量可以获得费米面附近能态密度的信息。 图6-6(P285) 当T ?D时,常温下,一摩尔金属的晶格热容CL?3R 对于金属,由于TF T,所以Ce CL。因此,在常温下可以不必考虑电子热容量的贡献。 当T ?D时, 当Ce = CL时,可求出此时的温度 实验值 对于简单金属, ?D ~ 102 K, TF 约104 ~105 K,估算出TC 约1 ~10 K的数量级。所以,在很低温度下,电子热容量与晶格热容量同数量级,这时,电子热容量就不可忽略。
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