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布里奇曼（1882～1961）Bridgman，Percy Williams　美国实验物理学家，科学哲学家。操作主义的创始人。1882年4月21日生于马萨诸塞州坎布里奇一个记者家庭，就学于哈佛大学，1908年获博士学位，长期执教于哈佛大学，1946年获诺贝尔物理学奖，1961年8月20日因癌症恶化而自杀。其哲学的基本观点是要把所有科学概念与经验过程、操作过程联系起来，认为概念与相应的操作是同义的，凡操作上不可确定的概念应排除在科学概念的范围外。按照他的理解，物理对象、物理概念都是由科学家的操作活动决定的，不过是科学家的一组操作。著有《物理理论的本质》等。 布里奇曼法 最早是为生长Ge单晶设计的，制备装置和方法都比较简单，其晶体生长过程属于典型的正常凝固过程。 水平式 布里奇曼法 立式 Ge、GaAs、GeTe、GeSe、ZnS等半导体单晶都可用这种方法制备。 缺点：生长Si单晶时石英舟壁对生长材料的玷污和热失配应力问题很突出。 直拉法 区熔法 制备单晶时不采用坩埚，而用多晶棒为原料。 优点：极大限度的避免了生长过程中杂质对晶体的玷污。 适用于单晶Si和GaAs等半导体材料的制备 在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。然后通过氧化工艺制备SiO2层。 然后要干嘛呢？ 光刻 光刻与图形转移 常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。 　　 在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。  ②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行 随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。 掺杂与扩散 集成电路的制作实际上是向硅片中所需区域引入杂质离子，进而形成各种半导体元件。 离子注入:离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就叫做离子注入。是在半导体中 引入杂质原子的一种可控件很强的方法 离子注入技术[1]又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。 作为一种材料表面工程技术，离子注入技术具有以下一些其它常规表面处理技术难以达到的独特优点： 　　（1）它是一种纯净的无公害的表面处理技术； 　　（2）无需热激活，无需在高温环境下进行，因而不会改变工件的外形尺寸和表面光洁度； 　　（3）离子注入层由离子束与基体表面发生一系列物理和化学相互作用而形成的一个新表面层，它与基体之间不存在剥落问题； 　　（4）离子注入后无需再进行机械加工和热处理。 扩散：是杂质原子在硅片中重新分配。 扩散深度主要取决于推进扩散的时间 薄膜层制备 主要用外延技术 外延生长【epitaxial growth】??在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层的方法。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺，常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中，也可采用红外辐照加热。为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展：减压外延、低温外延、选择外延、抑制外延和分子束外延等。外延生长可分为多种，按照衬底和外延层的化学成分不同，可分为同质外延和异质外延；按照反应机理可分为利用化学反应的外延生长和利用物理反应的外延生长；按生长过程中的相变方式可分为气相外延、液相外延和固相外延等。 互联与封装 互联（interconnect）意指由导体材料（铝、多晶硅或铜）制成的连线将信号传输到芯片的不同部分。互联也被用作芯片上器件与整个