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2018-05-06 发布于河南
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4-功率器件P

电能变换与控制研究所第四章基本电力电子器件 §4-1 功率二极管 §4-2 功率场效应管 §4-1 功率二极管 1 静态特性 2 动态特性正向恢复时间开通 2 动态特性关断过程：由UR、线路电感、体电感决定反向充电建立势垒 ★ 因正向电导调制效应且电流大：tFR tRR (普通100μs) ★ 普通PD 100us PD等效模型： 2 动态特性 3 PD的分类 ★ 快恢复二极管（Fast Recovery Diode 0.2us) ★ 软恢复二极管（Soft Recovery Diode 0.5us) ★ 势垒（肖特基）二极管（Schottky Barrier Diode 50ns) §4-2 功率场效应晶体管 1 小功率MOSFET的分类与结构特点 ★ 因工艺和结构差异名称不同。如： Motorola TMOS NEC VDMOS Siemens SiPMOS 结型绝缘栅型增强型耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 Power MOSFET 2 功率MOSFET的结构特点 ★ 胞元并联结RDS小，可达mΩ。 ★ 垂直导电VD，面积大，电流大； ☆ 无电导调制效应，UDSS 较GTR大。 ★ 轻掺杂，电阻率大，耐压高； ★ 沟道短D-S间U、R、 C均小；