曲洪泉《电路分析》5,6,7 电容 一阶 二阶电路.docxVIP

5,6,7 电容一阶二阶电路关键词：容微分方程阶跃冲激实验13 李瀚荪教材第5，6，7章；实验作业：5-1,6；6-21,23,36,37,39,14；7-1,2,5；1电容、电感VCR、含有电容电路的求解；2三要素法；3零状态响应；4 零输入响应；5 线性动态电路的叠加原理；6瞬态和稳态；7正弦激励的过渡过程和稳态；特征值特征向量（齐次，非齐次）特征方程特征根5.1 电容元件容是一种现象、曲线或者数据的抽象，电阻，电源都是如此；LMD的一个根基是在我们处理的元件中，任何时候都成立，而现在，还不到4个星期，引入一个新元件，其中有q，其实电容也遵守集总问题规定的，记得吗？是在元件的内部，我要耍聪明了，我要以一种聪明的方法选择元件边界，注意，如果这板上有q，另一个板就是-q，如果我们把这个期间看成是一个整体，如果我们很仔细的选择边界，如果我们把两块板都包含在元件边界内，那么它的静电荷还是零，所以确实一直都是零，只要保证我元件两块板。5.2 电容VCR线性电容关联参考方向非关联参考方向6.1 分解方法在一阶电路中应用（戴维南）全都是数学，来解这个非常简单的一节微分方程，很多方法，我们只用齐次通解+特接的方法。。(a)特接(b)齐次解(1)假设形式解为；(2)形式解构造方程；(3)得到特征方程；(4)找特征根；(c)求和+找常数；通常你要进行的就是试错，直到你得到它；假设知道答案，然后去检验，，假设解是这个形式，找齐次解4步：前面15分钟只是数学，没有EE，EE就是写出微分方程，完全用数学得到这个解，给一个直觉EE方法，真正的EE 工程师不这么做，用直觉，需要知道是怎么来的。电容的性质：1、电流和电压瞬时值无关，和电压导数有关；2、直流断路；3、电压连续性；5.4 电容的储能（电场储能）储能不能跳变，功率无穷大，可以充电大电容，然后短路。以下一段实验班讲；能源班不讲--------------------------------------------------------------------------------------------------------数字电路中最常用的开关器件mosfet（Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应管）首先，我将给你们一个小意外，我会用两个包含两个反相器的电路给你们做个小演示。（这张黑板一直保留到最后）B图是5V通过前面管子的上拉电阻和后面管子的组成的RC电路对第二个管子的栅极（第一个管子的漏极）进行充电。转向一个新的方向，跟我们前面所学的有较大的不同，至今为止我们接触到的器件，像电阻、电压源，都有一个非常特殊的性质，然而我们并没有详细讨论过，这个性质就是这些器件并不是所谓的无记忆元件，换句话说，不管什么时候，电路的输出仅由当时的输入决定。这个电路实验同学们可以自己到实验室找老师要芯片，自己试试，我是亲自试过的，如果我对这个世界了解无误，那么它应该是这样的，这就是我们理应看到的，如果你们至今所学的都是正确的话，来做一个小演示，来看看我是否能够推翻你们至今所学的知识，并给你们一些意外。把时间比例扩展一下，仔细观察过渡，会发现这跟你们期望的大相径庭，A点是方波，B点让人吃惊，观察到很奇怪的行为，慢慢变成高电平，这一段非常不靠谱，到目前为止，还不知道怎么处理这个，还没介绍处理这种情况的方法，这到底是什么问题？我们能视而不见吗？这到底有什么不妥？不是一个急剧上升，上升得有点慢，这将导致什么问题？产生的问题是这样的，非常奇怪让人讨厌的现象，发生了什么？如果你仔细观察，你们能看到C点波形的过渡，相对A点的过渡有一点点延迟，我声明它是因为这个缓慢拉升，因为这个C点的下落会有一点点迟，这种现象叫延迟，目前你们所学知识还没有涉及到这一点，突然，输出不再紧随输入，而相对输入有一点点延迟，我们无法回避的事实，这一点点延迟，正是（单核时代）一直以来我们大家隔几年就需要升级电脑的原因，（以上这段是单核的时代，现在是多核的时代，问题有了变化，有更多原因让我们升级电脑，这个延迟只是原因之一）这个简单的事实，如果没有这个，你只需要买一台电脑，并且用一辈子，Intel可能一年之内赚一大笔钱，Dell和Gateway也是如此，然后就没了，仅此而已，但就是因为这个小小的区别，整个半导体科技都在不停的发展，试图改变这个，我们每年都更换更新的电脑，因为这个小小的叫做延迟的东西，反相器延迟，产生这种现象的原因是因为电路引入的一种特殊元件，至今我们还没有介绍，半导体产业的一大部分以及后续课程的设计等等，都致力于如何使延迟更小，怎样变得更快，这关系到我们能把X86处理器提高到多高的频率，记得它们出来的时候仅4.77MHz 8MHz，现在能买到多快的奔