山东农业大学《集成电路设计基础》9逻辑门性能表征.pptVIP

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MOS电容 特征尺寸缩小 互连 线间电容 典型0.25工艺导线平板电容与边缘电容 典型0.25工艺同层导线单位长度电容 2 互联电阻 方块电阻 减小线电阻 平均线长的减小 好的互连材料 铜和硅化物等 更多的互连层 趋肤效应 不同宽度的导体趋肤效应 导线模型 理想导线 集总模型(Lumped Model)-只考虑电容 集总RC模型 RC 延时及其模型 例 4.5 集总RC模型 RC-tree: 电路只有一个输入节点 所有电容都在某个节点和地之间 该电路不包括任何电阻回路 Elmore 模型-重点掌握 RC 链的Elmore 延时 导线延时估测 将总长L的导线被分割成N段 每段长度为L/N,电阻为rL/N,电容为cL/N 结论 导线的延时是长度的二次函数 过长的导线通过反相器链进行一层一层的中继 片上导线-实际比例 第五章 反相器 逻辑门的质量评价 (p13-22) 电路行为特性与预期有区别的原因 制造工艺偏差 干扰噪声源 (1)电压传输特性(VTC) 逻辑门的功能会因制造过程的差异而偏离设计的期望值。 模拟信号和数字信号之间的对应 (2)噪声容限 噪声容限:芯片内外的噪声会使电路的响应偏离设计的期望值 (电感、电容耦合,电源与地线的噪声)。 (3) “再生”特性 逻辑门的“再生”特性使被干扰的信号能恢复到名义的逻辑电平。 逻辑门具有“再生”特性的条件是合法区的增益小于1,过渡区的增益大于1。 再生特性 (4)逻辑门的“单向性” 输出电平的变化不应影响在任何一个输入上 但实际情况在输出与输入之间总有反馈。 (5)扇出(Fan-out) 和扇入(Fan-in) 电子与通信工程系 设计规则(微米) 平板 边缘 上极板 下极板 R□ 对于特定工艺,特定 金属层H为定值 忽略导线电阻 Rdriver 10K欧 Clumped 11pf 当N趋向于无穷大 一个门对于噪声的敏感程度由噪声容限表示。 电子与通信工程系 * *

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