单片机原理及应用2版陈立周编4节.pptVIP

3.从串行存储器读出一个字节数据子程序 出口条件:读出的内容,置于累加器A。 RD1： MOV R4,#08H ；数据位数 RD10: NOP NOP SETB P1.0 ；时钟置高读数据 NOP NOP CLR P1.0 ；时钟置低 MOV C,P1.2 ；数据读入C RLC A DJNZ R4,RD10 ；未完继续 RET 4．写数据子程序（16位结构） 入口条件：待写数据位于R2、R3，写入AT93C46的单元地址置于B。 WRITE: LCALL STABY ;发送起始位1 MOV A,#30H ;取写允许操作码 LCALL WR1 LCALL STABY ;发送起始位1 MOV A,B ;取写入地址 ORL A,#40H ;地址与写入操作码 LCALL WR1 ;写入 MOV A,R2 ;取写入的高8位 LCALL WR1 MOV A,R3 ;取写入的低8位 LCALL WR1 SETB P1.3 ;置片选无效 NOP NOP CLR P1.3 ;置片选有效 WAIT:JNB P1.2,WAIT ;写入完成否 LCALL STABY ;写禁止 SETB A,#00H LCALL WR1 SETB P1.3 ;置片选无效 RET 5．读数据子程序（16位结构） 出口条件：B存要读出的单元地址，R2存读出数据的高8位、R3存读出数据的低8位。 READ: LCALL STABY ；发送起始位1 MOV A,B ；取地址 ORL A,#80H ；地址与读出合并 LCALL WR1 ；发读操作码及地址 NOP NOP LCALL RD1 ；读入高8位 MOV R2,A ；存R2 LCALL RD1 ；读入低8位 MOV R3,A ；存R3 SETB P1.3 ；置片选无效 RET 返回本章首页 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 馋死 PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * * * * 第四章 半导体存储器 第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法 本章要点 简单介绍单片机系统中使用的存储器结构性能及其用途。 存储器的并行扩展，扩展时的地址确定，以及与单片机的连接方法。 两线制与三线制的串行存储器的扩展方法。 第一节 存储器的分类 半导体存储器 静态(SRAM) 动态(DRAM) 固定掩膜型ROM、 可编程的PROM 紫外线可擦除可 编程的EPROM 电擦除可编程的EEPROM 闪速型存储器 随机存取存储器 双极型 MOS型 只读存储器 返回本章首页 第二节 随机存取存储器 一、静态RAM 静态RAM简称SRAM，它由若干个能够存储0和1两种数码的基本存储电路所组成，静态RAM的基本存储电路是双稳态触发器。以静态RAM为例，每个触发器包含6个NMOS管，它具有两个稳态，分别代表0和1两种状态，其结构如图 ： 二、动态RAM 动态RAM简称DRAM，通常采用MOS管栅极与源极间的极间电容存储信息，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，因此要不断地对被泄漏的电荷进行补充，这种补充称为刷新。所以动态RAM片内要附加刷新的逻辑电路。由于动态RAM使用的MOS管少，功耗低，集成度高，可制成大容量的存储器芯片。 三、RAM断电保护 RAM在断电之后，所存数据将全部丢失，为使断电后，片内数据能够得到保存，可在电源端通过二极管分别接到电源电压和后备电池电压，电池电压可以取3.6V。在正常时情况下，芯片由电源供电；电源断电或小于3.6V ，改由电池供电，维持其电压，使所存数据不至丟失。 四、单片机对外部数据存储器的读写时序 取指令码 锁存地址低8位 从P2取高8位 读操作时 读出数据 写操作时 写入数据 取指令 时间 返回本章首页 第三节 只读存储器 一、掩膜ROM ：利用光刻掩膜技术，将用户提供的程序存储在芯片中，制成后不能抹去也不能修改 。 二、可编程只读存储器PROM ：开始使用时允许用户自行写入信息，但只允许一次，以后只能读出，不能修