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AON5810规格书
AON5810
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect
Transistor
General Description Features
The AON5810 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V
provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 7.7 A (VGS = 4.5V)
operation with gate voltages as low as 1.8V while
retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This RDS(ON) 18 mΩ (VGS = 4.5V)
device is suitable for use as a uni-directional or bi- RDS(ON) 19 m (VGS = 4.0V)
directional load switch, facilitated by its common-drain RDS(ON) 21 m (VGS = 3.1V)
configuration. Standard Product AON5810 is Pb-free RDS(ON) 25 mΩ (VGS = 2.5V)
(meets ROHS Sony 259 specifications). AON5810L
RDS(ON) 40 mΩ (VGS = 1.8V)
is a Green Product ordering option. AON5810 and
ESD Rating: 2000V HBM
AON5810L are electrically identical.
D1 D2
DFN 2X5
S2
S2
S1 G2
S1
G1
D1/D2
G1 G2
S1
S1
G1
S2 S1 S2
S2
G2
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