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2018-03-31 发布于湖北
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chapter 4 晶圓製造教案.pdf

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chapter 4 晶圓製造教案

Chapter 4 晶圓製造 1 目標 ‧說明矽比其他半導體材料更被普及採用的兩個理由 ‧列出單晶矽的兩種晶向 ‧列出從砂形成矽的基本步驟 ‧敘述CZ法和FZ法 ‧解釋矽磊晶層沉積的目的 ‧敘述磊晶矽沉積的製程 2 晶體結構 ‧非晶態(Amorphous)結構 –原子排列無重複模式 ‧多晶態(Polycrystalline)結構 –原子排列有一些重複模式 ‧單晶態(Single crystal)結構 –原子排列有單一重複模式 3 非晶態結構 4 多晶態結構晶界晶粒 5 單晶態結構 6 為何要用矽? ‧含量豐富，價格便宜 ‧二氧化矽是強而穩定的介電質，在加熱製程中容易成長 ‧能隙較大，操作溫度範圍大 7 單晶矽的晶格晶胞(Unit cell) Si Si Si Si Si 8 鑽石的晶格結構 9 晶向平面：100 z 100 plane y x 10 晶向平面：111 z 111 plane y x 11 晶向平面：110 z 110 plane