模拟电子技术典型试题.docVIP

模拟电子典型习题解答 第一章 1. 1电路如图题1.1所示。利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值。 解： 1.4二极管电路如图1.4所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。 图1.4 解 图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。 图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。 图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为 0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。 图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为 －6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。 1.7电路如图题1.7所示，D1，D2为硅二极管，当 vi＝ 6 sinωtV时，试用分析输出电压 vo的波形。 解 当0＜|Vi|＜0.7V时，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥0.7V时；D1导通，D2截止，vo ＝ 7V；当vi≤0.7V时，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。vi与vo波形如图解1.7b所示。 （a） （b） 图题 1.7 第二章 2.2 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 VA＝－8 V，VB＝一3 V，Vc＝3．2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解 由于锗BJT的|VBE|≈0.2V，硅BJT的|VBE|≈0．7V，已知用BJT的电极B的VB＝一3 V，电极C的Vc＝–3．2 V，电极A的VA＝－8 V，故电极A是集电极。又根据BJT工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C是基极，且此BJT为PNP管。 2.3 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。 （a）VC＝6 V VB＝0.7 V VE＝0 V （b）VC＝6 V VB＝2 V VE＝1.3 V （c）VC＝6 V VB＝6V VE＝5.4 V （d）VC＝6 V VB＝4V VE＝3.6 V （e）VC＝3.6 V VB＝4 V VE＝3. 4 V 解（a）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。 （b）放大区，VBE＝（2—l．3）V＝0．7 V，VCB＝（6－2）V＝4 V，发射结正偏，集电结反偏。 （C）饱和区。 （d）截止区。 （e）饱和区。 2.6一个MOSFET的转移特性如图题2.6所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问： （1）该管是耗尽型还是增强型？ （2）是N沟道还是P沟道FET？ （3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP，还是开启电压VT？其值等于多少？ 解 由图题 2.6可见，它是 P沟道增强型 MOSFET，其 VT＝－4 V。 题图2.6 第三章 3.1试分析图题3．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。（设各电容的容抗可忽略） 解 图题3．1a无放大作用。因Rb=0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号vi被短路。 图题3．1b有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。 图题3．1c无交流放大作用，因电容Cbl隔断了基极的直流通路。 图题3．1d无交流放大作用，因电源 Vcc的极性接反。 图3.1 3.3 设图题 3． 1（b）所示的电路，β＝80，电阻Rb＝470 kΩ，Vcc＝12V，RC＝3.9kΩ，求电路中的 IB、IC和 VCE的值，设 VBE＝0．7 V。 解 3.5单管放大电路如图题3.5所示已知BJT的电流放大系数β＝50。（1）估算Q点； （2）画出小信号等效电路；（3）估算 BJT的朝人电阻 rbe；（4）如输出端接入 4 kΩ的电阻负载，计算及。 解（1）估算Q点 （2）简化的小信号等效电路如图解3.4.2所示。 （3）求rbe （4） 图题3.5 3.9电路如图3.9所示