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2012年下期12级高考班期中考试试题 姓 名： 得 分 ： 一、填空题（50*1＝50分） 1、半导体是一种导电能力介于 与 之间物质。 2、半导体按导电类型可分为 型半导体与 型半导体。 3、N型半导体主要靠 来导电，P型半导体主要靠 来导电。 4、PN结具有 性能，即加正向电压时，PN结 ；加反向电压时，PN结 。 5、晶体二极管的伏安特性可简单的理解为 导通， 截止的特性。导通后，硅管的管压降约为 V，锗管的管压降约为 V。 6、晶体三极管的三个电极分别称为 极、 极和 极，它们分别用字母 、 和 来表示。 7、场效应管的三个电极分别称为 极、 极和 极，它们分别用字母 、 和 来表示。 8、由晶体三极管的输出特性可知，它有 、 和 三个区域。 9、为了晶体管在放大器中正常工作，发射结须加 电压，集电结须 加 电压。 10、晶体三极管发射极电流Ie，基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系 是 　　　　。 11、三极管的Vce一定时，基极与发射极间的电压Vbe与基极Ib之间的关系曲线称为 　　；当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Vce与集电极电流Ic关系曲线称为 　　。 12、本征半导体掺入五价元素后成为 　半导体。 13、在判断锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正电压为 时，就认为此二极管为硅二极管。 14、NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。 15、按管芯结构的不同可把晶体二极管分为 、 、 等。 16、三极管具有电流放大作用的实质是：利用 电流实现对 电流的控制。 17、晶体三极管的穿透电流Iceo定义为 　　　　　，它的大小随温度的增高而 。 18、温度升高时，三极管共射输入特性曲线将 ；输出特性曲线将 ；而且输出特性的间距将 。 19、三极管是 控制型器件，而场效应管是 控制型器件 。 二、选择题（15*2＝30分） 1、当PN结两端加正向电压时，那么参与导电的是（ ）。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、既有多数载流子又有少数载流子 2、如果晶体二极管的正反向电阻都很大，则该晶体管（ ）。 A、正常 B、已被击空 C、内部断路 3、当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（ ）。 A、截止状态 B、放大状态 C、饱和状态 4、晶体三体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（ ）。 A、随着基极电流的增加而增加 B、随着基极电流的增加而减少 C、与基极电流变化无关，只决定于Ec和Rc 5、工作在放大区的某三极管，Ib从20uA增大到40uA，Ic从1mA变为2m则它的电流放大倍数为（ ）。 A、10 B、50 C、100 D、20 6、晶体二极管的阳极电位是-20伏，阴极电位是-10伏，则该晶体二极管处于（ ）。　 A、反偏 　 B、正偏 　 C、不能确定 7、环境温度升高时，晶体二极管的反偏电流将（ ）。 A、增大 　 B、减少　　 C、不变 8、用直流电压表测得某放大电路中三极管（NPN型）三电极1、2、3的对地电位分别为V1=2v，V2=6v，V3=2.7v。则（ ）。 A、1为e，2为b，3为c B、1为e，2为c，3为b C、1为b，2为e，3为c 9、直流电压表测得NPN晶体三极管电路，三极管各极对地电位是：Vb=4.7v,Vc=4.3v,Ve=4v,则该三极管的工作状态是( )。 A、截止状态 B、饱和状态 C、放大状态 10、点接触型晶体二极管比较适用于（ ）。 A、大功率整流 B、小信号检波 C、小电流开关 11、面接触型晶体二极管比较适用于（ ）。 A、高频检波 B、大功率整流 C、大电流开关 12、万用表测量小功率晶体二极管的特性好坏时，应把欧姆表档拨到（ ）。 A、R×100或R×1K B、R×1 C、R×10K 13、指针式万用表的两