DFD651改机操作.docVIP

程式教读步骤：(1)Load wafer (2) Copy 程式 (3)修改参数、测量晶片的index (4)确认参数 (5)晶圆教读 程式教读——Load Wafer Wafer 置于Cassette 的第一格 将Cassette 置于 Loader 处 进入画面3.0 Manual operation 载入晶圆先按 NEW CST 键，再按 F1 : Load 载入晶圆至Chuck Table上。 程式教读——Copy程式 进入 4.0 Device Data List 选择——程式。按F2 Copy 键，输入密码！ 输入 Device NO.Device NO. 如:M8-IV001 (M+晶圆直径-客户代码+序号)。 输入DEVICE ID切割程式名称：(1) 优先根据RUN CARD的DS PROGRAME！ (2)RUN CARD DS PROGRAME没有要求的，根据RUN CARD的DEVICE！ 程式教读——修改参数 在界面0.0的情况下，选择F4 进入DEVICE DATA LIST 选择新建的程式 根据流程卡上的 Device ID 选择欲切割的产品程式 选择后按 ENTER 键进入4.1.2画面 修改参数，根据条件卡上的数字说明，输入相关的数字 输入DEVICE DATA NO 输入DEVICE ID 输入Z1和Z2转轴的转速确认CUT MODE：A/S和CUT METHOD：STEP/DUAL wafer的直径 Blade Height1和Blade Height 2 的高度 工作物的厚度根据流程卡上的晶圆研磨完的厚度,即 ‘Lapping to :’ 后面的数值 Tape 的厚度 输入进刀的速度 频率检测即每走完30/15m后进行一次测高 然后按Enter键返回主界面 按F3 进入画面4.1.3 Alignment data 确认CH1高倍下的相似值Q的界限值为70 确认CH2高倍下的相似值Q的界限值为70 按F4 进入画面4.1.4 Cleaning/Handling data 清洗水时间和转数的设定有硅粉残留风险的清洗时间180s 转速800rpm。不在list内的产品，清洗时间60s 转速800rpm。 吹干时间和转数的设定所有DRYING TIME统一用45S，DRYING转速1200rpm。 按F6 进入画面4.1.6 Process Control Table ALI：依所设定程序做 Alignment、影像辨识、切割道确认。 CUTSTEP：执行切割动作。切割的程序须先做 ALI，再执行切割。若缺 ALI，工作物直接做切割将会导致严重的后果。 按F8 进入画面4.1.8 Kerf Check Function Parameter 设定第一次刀痕检查 ( KERF CHECK) 的位置（统一为3）与每切割几刀再做检查。 每个 CH 以至少检查兩次为原则，间隔的刀数再以每个 CH 的 Index 来计算。如:DUAL, 8 inch: every= |50/Index| STEP, 8 inch every= |100/Index| 各种参数设定 程式教导——测量Index测量Index CH1 与 CH2 的值 按 F5 SUB INDEX 进入 SUB INDEX 画面。 确认CH1 Θ为0.000度 确认CH2 Θ为90.000度 确认CH1/2 CUT DIR.均为REAR 确认CH1/2 CUT AXIS均为Z1Z2 确认CH1/2 NON-CUT AREA FR均为3.0mm 按 F10 MEASURE 进入 MEASURE INDEX 画面。 进入画面6.2Measure 进行Index 测量进入Index 量测画面可能在计算机屏幕上看不到任何影像，那是因为没有对焦或灯光的亮度问题，按F8进行自动调焦。按F7 进行灯光调整! 进入自动调焦画面Focus Alignment 调整技巧 : 调整 Camera 的焦距,使工作物的影像清晰 调整方式 : 按 F8 AUTO FOCOS 执行自动对焦. 其它则为手动调整。 调整灯光亮度Lighting Adjustment 亮度显示表: DIRECT直射灯光亮度显示； OBLIQUE斜射灯光亮度显示。 调完后按Exit。（不要按Enter，因为Enter为设定的初始值一般时不要改变！）调整技巧 : DIRECT ( 直射灯) 与 OBLIQUE ( 斜射灯) 两者灯源彼此搭配相互调整以使影像黑白分明。 平行度校正（Align） 基准线与参考线基准线 : 屏幕上的绿色线参考线 : 工作物上（任意）清晰的横线 调整方式 :进入影像画面后,将屏幕上