复合抛光.pptVIP

複合拋光 複合拋光去除機構 複合拋光去除機構 微破裂 – 機械研磨、拋光 微切削 – 機械研磨、拋光、微粒流動加工 微犁削 – 機械研磨、拋光 微摩擦 – 機械研磨、拋光 化學分解(氣體、液體、固體) – 蝕刻 電化學 – 電解 熱分解、蒸發 – 雷射、電子束 濺射 – 離子濺射蝕刻 複合拋光平坦化附著機構 化學附著 - 化學鍍金 電化學附著 - 電鑄 熱附著 - 真空蒸著 物理附著 - 濺射附著加工 Elastic Emission Machining EEM Can obtain the surface below RMAX 10? for Si, glass wafer, etc. Can produce no or little surface defects. Can machine free form or flat surfaces. Low MRR, 0.01~0.1?m/min. Elastic Emission Machining (EEM) EEM Elastic Emission Machining EEM EEM 光纖接頭端面加工 浮動拋光 Float Polishing 加工液：7nm-2?10wt%SiO2 +純水。 壓力：0.5 ~ 2kg/cm2。 加工效率：為傳統方法的1/10以下，約10~100 nm/min。 藍寶石、Ferrite 和玻璃的超精密研磨：2nm Rmax。 3um鑽石粒徑：20=40nm Rmax。 Chemical Mechanical Polishing CMP Pressure Distribution for Polishing 機械化學拋光 MCP 加工液：SiO2 +純水。 壓力：1 ~ 3kg/cm2。 拋光盤：石英玻璃、氧化鋁、軟鋼 加工效率：約10~數百nm/min 面粗度：10nm Rmax。 Free Abrasive Machining 拋光中化學作用之分類 Powder Functions of Free Abrasive Machining 固體觸媒的機械化學拋光之應用 Electrolytic Polishing EP Electrolytic Polishing EP Elastic and Electrolytic Ultra-precision Polishing (EEUP) Electrolytic machining Mechanical polishing Ultrasonic vibration Conditions: Solution: 20wt% NaNO3, pH7 Abrasive: 1-2.5um, 5wt% SiC f = 20KHz, a = 10um Current density = 0.3-0.6 A/cm2 2000RPM Results: Rmax 25nm MRREEUP = 3 MRRTP * 複合拋光 濺射 微犁削 化學 分解 熱分解 蒸發 微切削 微破裂 電化學 微摩擦 PU Water suspended soft ultra-fine powders, 10nm SiO2 or ZrO2 Elastic fluid P Powders chemically contact to the work surface to form the chemical bonds, which produce atomic removal. (a)Surface structures before interaction. (b)Hydrogen bonding between two surface. (c)Interface structure. (d)Separation of adsorbed powder with work atom removals. Interactions Between Surfaces of Ultra-fine Powders and Works K. Yamauchi, etc, Computational Materials Sci., 14(1999)232 渡邊純二 Chemical bond Chemical fluid + Soft fine powders Workpiece Back pressure Sample holder PU pad Pre