半导体元器件课件.pptVIP

14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管共阴极或共阳极联结时如何判断二极管的状态？ 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 4.工作电路 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数：?， 练习 如何判断晶体管三种工作状态？ 作业 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线的三个工作区： 截止区 饱和区 放大区： Je正偏，Jc反偏。 uBE Uon ，硅管：0.6—0.8V， 锗管：0.2—0.3V。uCEuBE, 一般1V以上 iC受iB的控制，iC=βiB. 截止区： Je反偏，Jc反偏。uBE≤Uon, IB=0, IC=ICEO , 三极管几乎不导通 饱和区：Je正偏，Jc正偏 uBE Uon ，硅管：0.6—0.8V, 锗管：0.1—0.3V。 uCEuBE, iCβiB。 深度饱和 UCES=0.3V(硅管) , UCES =0.1V(锗管)。 晶体管的三种工作状态如下图所示 + UBE 0 ? IC IB + UCE ? (a)放大 ? UBC 0 + IC ? 0 IB = 0 + UCE ? UCC ? (b)截止 ? UBC 0 + + UBE ? 0 ? ?0 ≥0.1 0.5 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.3 ?0.1 0.7 ?0.3 硅管(NPN) 锗管(PNP) 可靠截止 开始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 饱和 工 作 状 态 管 型 ? ? ? ? ? ? ? ? (c)饱和 UBE 0 IB + UCE ? 0 ? UBC ≥ 0 ? ? ? ? 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 例5： ?0 ≥0 0.5 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.3 ?0.1 0.7 ?0.3 硅管(NPN) 锗管(PNP) 可靠截止 开始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 饱和 工 作 状 态 管 型 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就