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B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 β= ICN/IBN IE=IBN+ICN IC=ICN+ICB0 IB=IBN-ICB0 IC= βIBN+ICB0 = β(IB+ICB0)+ICB0= βIB+(1+ β)ICB0 = βIB+ICE0 ICBO集、基极间反向饱和电流 ICE0穿透电流判断晶体管质量的好坏（IB=0） IC= βIB 电流分配定律 前提：发射结正向偏置，集电结反向偏置 IC= βIB IE=IC+IB=(1+ β）IB 1.4.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V 称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0, IC=ICEO, UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB 0IBIBS (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， IBIBS=VCC/ ? RC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IB 最大饱和电流： IB=VSC/ ?RC =12/50*6=0.04mA Q位于截止区 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IB IBS (=0.04mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 IBIBS=0.04mA 三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: §1.5 场效晶体管 1.5.2 绝缘栅场效应管 一、结构和电路符号 P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 P N N G S D S-source G-gate D-drain 放大等效 截止等效 饱和等效 结论 二、MOS管的工作原理 截止等效 * 上 页 返 回 电子技术电工学II 主讲 孙媛 第一章 半导体器件 第一