数字电子技术PPT-6.ppt

ROM中的数据表 6.4 存储器的应用(5) 6.4 存储器的应用(6) 一、试用ROM构成实现函数 的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 （3）写出逻辑函数表达式 (4) 画出ROM存储矩阵结点逻辑图 为作图方便，将ROM矩阵中的存储单元存入1的单元用结点表示 解： (1)写出各函数的标准与或表达式 （2）选ROM，画存储矩阵连线图 第六章 半导体存储器 6.1 概述 6.2 只读存储器（ROM） 6.3 随机存取器（RAM） 6.4 存储器的应用 6.1 概述(1) 一、存储器的构造特点： 1、数目庞大与管脚有限 2、分组技术 3、地址译码技术 4、共享通道技术 从存、取功能上分 只读存储器(ROM) 随机存储器(RAM) SRAM DRAM 二、存储器的分类 从制造工艺上分 双极型 MOS型 UVEPROM E2PROM 快闪存储器 （FLASH MEMORY) 掩模ROM PROM EPROM 6.1 概述(2) ROM（Read Only Memory）是存储固定信息的存储器件，即先把信息和数据写入到存储器中，在正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能读出，不能迅速写入。 ROM特点：掉电后存储的数据不会丢失。 RAM（Random Access Memory）是随机存取存储器 ，读写方便。 RAM特点 ： 所存储信息会因断电而丢失。 三、存储器的主要技术指标： 1、存储容量：所存放信息的多 少，用Bit 表示 2、存储时间：用读（写）周期表示 6.1 概述(2) 6.2 只读存储器（ROM）) ROM的电路结构 ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个组成部分 一、掩模只读存储器 6.2 只读存储器（ ROM）(2) 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 ROM中的数据表 ROM中的数据表 二、可编程只读存储器(PROM) 6.2 只读存储器（ ROM）(3) PROM在出厂时，制作的是一个完整的二极管或三极管存储单元矩阵，相当于所有的存储单元全部存入1。在每个单元的三极管发射极上都接有快速熔丝，它是用低熔点的合金或很细的多晶硅导线制成的。 6.2 只读存储器（ ROM）(4) 三、可擦除的可编程 ROM(EPROM) 1、UVEPROM 6.2 只读存储器（ ROM）(5) 采用浮栅型MOS器件，紫外线照射擦除，需要10——30分钟，可擦除上万次。 2、E2PROM 6.2 只读存储器（ ROM）(6) 同样采用浮栅工艺，但可利用一定宽度电脉冲擦除。 3、快闪存储器 6.2 只读存储器（ ROM）(7) 快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。 四、实用存储器芯片 1、EPROM2716 2、EEPROM2864 6.3 随机存取器 一、 静态随机存储器(SRAM) 1、SRAM的结构和工作原理 SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读／写控制电路三部分组成。 6.3 随机存取器(2) （六管NMOS静态存储单元） 2、SRAM的静态存储单元 6.3 随机存取器(3) 3、SRAM 6116 6.4 存储器的应用(7) 二、动态随机存储器(DRAM) 1、DRAM的动态存储单元的特点 1）利用MOS管栅极电容存储电荷 2）栅极电容的容量很小(通常仅为几皮法)，漏电流又不可能绝对等于零，所以电荷保存的时间有限 3）为了及时补充漏掉的电荷以避免存储的信号丢失，必须定时地给栅极电容补充电荷---刷新或再生。 (三管MOS动态存储单元) 6.4 存储器的应用 一、思路： 1、存储器的译码器输出包含了输入地址变量全部的最小项 2、存储器数据输出又都是若干个最小项之和 3、而任何的组合逻辑函数可用输入逻辑变量的最小项之和表示 二、推论 n位输入地址、m位数据输出的存储器可以设计一组(最多为m个)任何形式的n输入逻辑变量组合逻辑函数 三、方法： 只要根据函数的形式向存储器写入相应的数据即可。 6.4 存储器的应用(2) 四、步骤： 1、根据输入变量数和输出端个数确定存储器的类型； 2、将函数化为最小项之和的形式（列出函数的真值表）； 3、列出函数的数据表； 4、画出