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SCHMID太阳能电池工艺过程讲解
S C H M I D T R A I N I N G Production and Process Flow 生 产 流 程 → Acid texturing 酸 的 制 绒 Removing of saw damage from wafers。 切下硅片表面为不规则锯齿形 Reduction of reflection on the future cell surface due to the creationof a regular surface 在未来电池表面我们所需要的是减少反射创建有规律表面结构 Objective :目的 Wafer after sawing Wafer after acid texturing 切下的硅片 制绒后的硅片 Objective目的 Aim is a hole – peak surface structure as uniform as possibleFunctional principle 目的是获得表面结构完全相同结构(窝的底、顶)0.01mm适合的原则。 Functional principle 实用原则 Wafers immerse in an acidic bath 硅片沉浸在酸溶液浴缸里 Surface is etched by several μm (1μm = 0,001mm) 表面刻蚀掉0.001mm Lay out 展开图 Machine lay out is modular 机器是按模组展开 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 Wafer HF HNO3 Rinsing KOH Rinsing HCl /HF Rinsing Drying Wafer Inlet Etching Polishing Cleaning Outlet Functions 作用 (功能) M1 Detection of incoming wafers。 硅片输送与跟踪监测。 M1 – M9 Transport of wafers。 硅片的传送。 M2 – M8 Exhaust of atmosphere in the modules。 在单元里的排气装置。 M2 Making of a HF – HNO3 bath, immersion of wafers。 用制成的HF-HNO3药液沉浸硅片进行硅片刻蚀。 M3 Rinsing of wafers。 清洗硅片。 M4 Making of a KOH bath, immersion of wafers。 用制成的KOH药液沉浸硅片进行多孔硅表面处理。 M5 Rinsing of wafers。 清洗硅片。 M6 Making of a HF or HCl bath。 在制成的HF和HCI溶液进行输水(中和) M7 Rinsing of wafers。 清洗硅片。 M8 Drying of wafers。 硅片烘干处理。 M10 Detection of outgoing wafers。 输出硅片的监测。 Functions 作用 (功能) M1 Detection of incoming wafers 硅片正确到达的监测。 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M1 Detection of incoming wafers 硅片正确到达的监测。 Sensor detects incoming cells。 传感器能够正确反应电池片是否到达。 Pulse generator measures transport velocity (1 mm = 1 pulse ) 脉冲发生器是记录传送多长距离。1mm=1脉冲 Due to this information the PLC knows the position of the cells in themachine 机器通过传感器和脉冲发生器的信息PLC可准确电池片的位置。 M1 Detection of incoming wafers
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