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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 价带:由价电子能级分裂而形成的能带。 在绝缘体中,价电子刚好填满最低的一系列能带,最上边的满带 —— 价带 带隙 空带 绝缘体 再高的各能带全部都是空的 —— 空带 价带 ★通常情况下,价带为能量最高的 能带; ★价带可能被电子填满,成为满带; ★也可能未被电子填满,形成不满 带或半满带。 导体中,一部分价电子存在于不满带中,这种能带称为导带 满带 导带 导体 导带:由价电子所占据的较高能带一般没有被电子完全填满的能带 导带:部分能级为电子所填充的能带 导带中电子的转移 满带 导带 导体 在外电场的作用下,导带中的电子可以进入同一能带中未被填充的稍高的能级,这个转移过程没有反向的电子转移与之抵消。所以导带中的电子具有导电作用。 3、导体、半导体和绝缘体的能带结构 电阻率为 10-8Ω?m 以下的物体为导体 电阻率为108Ω?m以上的物体为绝缘体 电阻率介乎上面两者之间的为半导体 引子: ★孤立的原子,其轨道电子的能量由一系列分立的能级所表征; ★原子结合成固体时,这些原子的能级变扩展而形成能带; ★因为在原子内层能级上充满电子,所以相应的内层能带是满带 → 不参与导电; ∴ 一个固体是否导电取决于同价电子能级相对应的能带 → 价带是否被电子填满 ?(1)导体:能带结构有三种形式 形式1:价带中只填充了部分电子,在外加电场作用下,这些电子很容易在该能带中从低能级跃迁到较高能级 —— 从而形成电流 导带中电子的转移 例如: 金属Li 电子排布1s22s1 每个原子只有一个价电子,整个晶体中的价电子只能添满半个价带 —— 实际参与导电的是不满带中的电子 —— 电子导电型导体 满带 导带 价带未充满 形式2:二价元素Bi , As , Mg,Zn (半金属) 金属Mg 电子排布1s22s22p63s2 ——价带被电子填满,成为满带 ∵晶体结构特点,价带与空带发生交叠 —— 形成更宽的能带 价带 空带 ∴这个新的、更宽的能带可包含几个布里渊区 → 使可添充的电子数目大于2N → 使能带不完全被电子充满 ∵由于能带少量重叠, ∴出现电子和空穴同时参与导电 又∵电子和空穴分属于不同的能带,它们具有不同的有效质量和速度 ∴它们对电流的贡献不同 当空穴对电流的贡献起主要作用 — 空穴导电型导体 当电子对电流的贡献起主要作用 — 电子导电型导体 价带 空带 导带 形式3:Na,K,Cu,Al,Ag 金属的价带本来就没有被电子填满,同时价带又同邻近的空带重叠 —— 形成一个更宽的导带 实际参与导电的是那些未被填满的价带中的电子 —— 电子导电型导体 导带 空带 例如: 当 Na 原子结合成晶体时,3s 能带只填满了一半电子,而 3p 能带与 3s 能带相交错。这样在被电子填满的能级上面有很多空着的能级,所以电场很容易将价电子激发到较高的能级上,因此 Na 是良导体 绝缘体具有充满电子的满带和很宽的禁带,禁带宽△Eg约 3~6 eV; 一般温度下,满带中的电子在外电场作用下很难激发(越过禁带)到空带参与导电; 大多数离子晶体是绝缘体。 × (2)绝缘体 例如: NaCl晶体,它的能带是由 Na+ 和 Cl- 离子的能级构成的,Na+ 的最外壳层 2p 和 Cl- 的最外壳层3p,都已被电子填满,且这最高满带与空带之间存在着很宽的禁带,所以NaCl是绝缘体。 跃迁: 少数电子受光或热的激发从满带的顶部跃迁到邻近的空带中。原来的满带就会变成近满带。空带变成未满带。 绝缘体:电子刚好填满最低的一系列能带(最上边 的满带叫价带),再高的各能带全部都是 空的(即为空带),由于没有未满带,禁 带宽度比较大,不能导电。 带隙 空带 非导体 (3)半导体: 在温度 T=0K 时,能带结构与绝缘体相似,只是禁带宽度△ Eg很窄,约0.1~1.5 eV; 空带(导带) 半导体 满带(价带) 在温度 T?0K 时,电子热激发能从满带跃迁到空带,使空带成为导带,同时在满带中产生空穴; 外加电场后,电子和空穴从低能级跃迁到高能级,而形成电流,因此半导体具有导电性。 例如:硅、硒、锗、硼等元素,硒、碲、硫的化合物,各种金属氧化物等物质都是半导体。 不同固体的能带填充情况 (a) 导体;(b) 绝缘体;(c) 半导体;(d) 半金属 四、能带性质 (1)对于第 n 个能带,其能量与波函数 k 在空间均 具有对称性,可表示为: (2)能量与波函数都是k 的周期性函数,在倒易空间 具有倒格子的周期性,
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