AlGaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $# !% %%( !% ， ， ， IJ0 3$# CJ 3 !% KLMJNAO %%( （ ） !%%%B#;%@%%(@$# !% @#$!B%( .DE. 1=FGHD. GHCHD. !%%( DPQ5 3 1PR/ 3 GJL 3 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! !# $%! 表面量子阱界面层的原位光调制 反射光谱研究 !） ） 袁先漳 缪中林 !）（温州师范学院物理与电子信息学院，温州 #$% ） ）（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家实验室，上海 %%%’# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%# !% ! %%( % 用分子束外延（ ）方法在 表面量子阱上外延生长不同厚度的 层，以超高真空下的原位光调制光谱 )*+ ,-./ .0 （ ）作为测量手段，研究 扩散形成的表面势垒层对于 表面量子阱中带间跃迁峰位和峰形的影响 根据跃 12 .0 ,-./ 3 迁峰的变化，采用有效质量近似理论计算出了.0 和 ,-./ 的互扩散长度为% 4$56，这是半导体工艺中的一个重要 常数3 关键词： ， ，原位光调制反射光谱（ ），分子束外延（ ） .0 ,-./ 12 )*+ ： ， ， ， ’!(( #% #7% ’(% ’7$ !4 引 言 4 实 验 由于半导体工业的要求，半导体的合金化研究 选用 （ ）高纯衬底片，用 的方法在 ,-./ %%! )*+ 是半导体物理的一个重要分支 近年来，随着纳米器 7!% 生长 $%% 56 的缓冲层，然后在 !%% 56 .0 3 % 4# 件的发展，在纳米尺度上，甚至几个原子层的数量级 ,-% 4 ./ 的势垒层上生长 56 ,-./ 表面量子阱， ， 的生长速度和 组分由 振荡 上，研究电极、导线等与半导体材料之间形成的肖特 ,-./ .0,-./ .0 2=++ 监控， 的生长速度为