CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究.PDFVIP

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2018-12-13 发布于天津
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CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究.PDF

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CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究.PDF

第卷第期年月５９４２０１０４物　理　学　报Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．４，Ａｐｒｉｌ，２０１０１０００３２９０／２０１０／５９０４／２　６６１０５（）ＡＣＴＡＰＨＹＳＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ２０１０Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．  ＣＨＦ双频电容耦合放电等离子体特性研究３  胡佳徐轶君叶超　　　　（苏州大学物理科学与技术学院，江苏省薄膜材料重点实验室，苏州）　２１５００６（２００８年９月２７日收到；２００９年６月２８日收到修改稿）　　研究了用于ＳｉＣＯＨ低介电常数薄膜刻蚀的ＣＨＦ气体在１３５６ＭＨｚ／２ＭＨｚ，２７１２ＭＨｚ／２ＭＨｚ和６０ＭＨｚ／２３ＭＨｚ双频电容耦合放电时的等离子体性质．发现２ＭＨｚ低频源功率的增大主要导致Ｆ基团密度的增大；而高频频率从１３５６，２７１２增大到６０ＭＨｚ，导致ＣＦ基团的密度增大和电极之间Ｆ基团密度的轴向空间不均匀性增加．根２据电子温度的分布规律及离子能量随高频源频率的变化关系，提出基团的产生主要通过电子中性气体碰撞，ＣＦ  ２而基团的产生是离子中性气体碰撞的结果Ｆ  ．关键词：ＣＨＦ双频电容耦合放电，等离子体３ＰＡＣＣ：５２８０Ｐ，８２３０来，采用高频或甚高频功率源控制等离子体的产１ 引言生、采用低频功率源来调制到达被刻蚀薄膜表面粒子能量的双频等离子体技术，正发展成为低材料ｋ［，］１０１１微电子器件的快速发展使器件性能不断完善、刻蚀的有力工具为了实现等离子体密度和能．量的独立调控，采用频率从到的各６５４５ｎｍ１３５６５００ＭＨｚ器件集成度不断提高，正向— 以下线宽的纳电子器件发展．由于高性能芯片上器件尺寸减种高频或甚高频功率源与频率从８００ｋＨｚ到２ＭＨｚ